发布时间:2024-05-27 17:49:26 - 更新时间:2024年06月29日 15:22
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本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒的分类、技术要求、检验方法和规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒
Gallium arsenide single crystal for solar cell
警告:使用本部分的人员应有正规实验室工作的实践经验。本部分并未指出所有可能的安全问题。使用者有责任采取适当的安全和健康措施,并保证符合国家有关法规规定的条件。 GB/T 14352的本部分规定了钨矿石、钼矿石中镓量的测定方法。 本部分适用于钨矿石、钼矿石中镓量的测定。 测定范围:2μg/g
Methods for chemical analysis of tungsten ores and molybdenum ores.Part 14:Determination of gallium content
本标准规定了高纯硒中硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋杂质元素的测定方法。 本标准适用于高纯硒中硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋含量的测定
Methods for chemical analysis of high purity selenium.Determination of boron,aluminum,iron,zinc,arsenic,silver,tin,antimony,tellurium,mercury,magnesium,titanium,nickel,copper,gallium,cadmium,indium,lead and bismuth contents.Inductively coupled plasma mass
本标准帘定了利用拉受光谱调斌N 型侯化儿衬底片载流子浓度的方法, 本标准适用于在蓝宝石.雄化奸、秆、氨化稼材料上生长的N 型氨化皖桂底片载流子波度的测试 测试范围:1X10" cm一1X102 cm
Test method for carrier concentration of gallium nitride substrates—Raman spectrum method
本标准规定了用石墨炉原子吸收光谱法测定钢铁及合金中的镓含量。 本标准适用于钢铁及合金中质量分数为0.0002 
半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品(如衬底、外延、芯片、器件)性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域,因此该标准的制定对
Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in GaN Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
Electronic grade triethylgallium
Gallium arsenide single crystal-Determination of dislocation density
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
来自第1275页
本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒的分类、技术要求、检验方法和规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒
Gallium arsenide single crystal for solar cell
警告:使用本部分的人员应有正规实验室工作的实践经验。本部分并未指出所有可能的安全问题。使用者有责任采取适当的安全和健康措施,并保证符合国家有关法规规定的条件。 GB/T 14352的本部分规定了钨矿石、钼矿石中镓量的测定方法。 本部分适用于钨矿石、钼矿石中镓量的测定。 测定范围:2μg/g
Methods for chemical analysis of tungsten ores and molybdenum ores.Part 14:Determination of gallium content
本标准规定了高纯硒中硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋杂质元素的测定方法。 本标准适用于高纯硒中硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋含量的测定
Methods for chemical analysis of high purity selenium.Determination of boron,aluminum,iron,zinc,arsenic,silver,tin,antimony,tellurium,mercury,magnesium,titanium,nickel,copper,gallium,cadmium,indium,lead and bismuth contents.Inductively coupled plasma mass
本标准帘定了利用拉受光谱调斌N 型侯化儿衬底片载流子浓度的方法, 本标准适用于在蓝宝石.雄化奸、秆、氨化稼材料上生长的N 型氨化皖桂底片载流子波度的测试 测试范围:1X10" cm一1X102 cm
Test method for carrier concentration of gallium nitride substrates—Raman spectrum method
本标准规定了用石墨炉原子吸收光谱法测定钢铁及合金中的镓含量。 本标准适用于钢铁及合金中质量分数为0.0002 
半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品(如衬底、外延、芯片、器件)性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域,因此该标准的制定对
Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in GaN Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
Electronic grade triethylgallium
Gallium arsenide single crystal-Determination of dislocation density
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
来自第1275页