硅外延片检测

　　硅外延片检测样品有哪些?北检(北京)检测技术研究所硅外延片检测，包括低功耗VDMOS器件用硅外延片等，出硅外延片检测报告周期短，数据准确。

检测范围

　　8英寸薄层P型硅外延片、高压大功率FRD用硅外延片、P型硅外延片、N型硅外延片、低功耗VDMOS器件用硅外延片、掺As薄层硅外延片、高压大功率微波PIN器件用硅外延片、p/p硅外延片、增强吸杂硅外延片、薄层高阻硅外延、快速恢复二极管用硅外延片、瞬变电压抑制二极管用硅外延片、CCD器件用硅外延片、

检测项目

　　表面缺陷分析、背面边缘异常黑斑原因分析、晶体缺陷、均匀性、纵向电阻率、翘曲度非接触测试、电阻率、表面金属、正面质量、背面质量、表面颗粒等。

检测标准

　　SJ 21493-2018碳化硅外延片表面缺陷测试方法

　　GB/T 35310-2017200mm硅外延片

　　DL/T 2310-2021电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件

　　GB/T 14139-2019硅外延片

北检院检测优势

　　检测周期短

　　北检(北京)检测技术研究院秉承服务优先原则，保证数据准确的基础上，尽可能缩短检测周期，让客户能够尽快获得准确高效的检测报告

　　数据准确

　　北检(北京)检测技术研究院仪器设备齐全、实验室拥有高素质技术人员、协助匹配检测项目，检测体系完善、确保了数据的准确性。

　　服务范围广

　　服务范围广、接受样品种类多、接受全国寄样检测、专门负责人跟进。

　　费用低

　　北检(北京)检测技术研究院在保证高质量高效率检测的同时，专项报价实验室，保证客户享受到行业内极具竞争力的价格优势。

　　报告应用广

　　北检(北京)检测技术研究院报告可帮助您凸显产品特性、提高产品竞争力、缩短研发周期、减少研发成本、减少退货风险等