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光电子器件检测

发布时间:2024-05-27 17:49:26 - 更新时间:2024年06月29日 15:22

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军工检测 其他检测

GJB 8119-2013 半导体通用规范

本规范规定了半导体光电子器件(以下简称“器件”或“产品”)的分类、生产和交付的通用要求,以及质量和可靠性保证要求。本规范适用于带或不带尾纤的半导体光电子器件

General specification for semiconductor optoelectronic device

SJ 2247-1982 半导体外形尺寸

Outlines dimension for semiconductor optoelectronic devices

GB 12565-1990 半导体 分规范

GJB 33/20-2011 半导体 GH302型耦合详细规范

本规范规定了GH302型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH302 photocoupler

GJB 33/22-2011 半导体 GO103型耦合详细规范

本规范规定了GO103型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GO103 photocoupler

SJ 50033/112-1996 半导体.GD3251Y型二极管详细规范

Scmiconductor optoelectronic devices.Detail specification for type GD3251Y photodiodes

GB/T 12565-1990 半导体 分规范 (可供认证用)

本规范应与其有关的总规范一起使用;本规范规定了评定半导体光电子器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选顺序、抽样要求、试验和测试方法的细节

Semiconductor devices--Sectional specification for optoelectronic devices

GJB 33/19-2011 半导体 GH302-4型耦合详细规范

本规范规定了GH302-4型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH302-4 photocoupler

GJB 33/23-2011 半导体 GH3201Z-4型耦合详细规范

本规范规定了GH3201Z-4型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH3201Z-4 photocoupler

GJB 33/21-2011 半导体 GD310A系列耦合详细规范

本规范规定了GD310A型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for GD310A series photocopier

YD/T 2342-2011 通信用可靠性试验方法

本标准规定了通信用光电子器件可靠性试验方法的一般要求和详细要求,包括:试验目的、设备、条件、程序、检验及失效判据。 本标准适用于通信用光电子器件,包括但不限于激光二极管、发光二极管、光电二极管、雪崩光电二极管及由它们组成的组件或模块,简称“光电子器件”。其他领域的光电子器件也可参照使用

Reliability test method for optoelectronic devices used in telecommunications

SJ 20644.2-2001 半导体 GD101型PIN二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GD101 PIN photodiode

SJ 20644.1-2001 半导体 GD3550Y型PIN二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GD3550Y PIN photodiode

GB 15651.4-2017 半导体 分立 第5-4部分: 半导体激

SJ 50033/111-1996 半导体GTI6型硅NPN晶体管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Delail specification for type GT16 Si.NPN phototransistor

GJB 8119-2013 半导体通用规范

本规范规定了半导体光电子器件(以下简称“器件”或“产品”)的分类、生产和交付的通用要求,以及质量和可靠性保证要求。本规范适用于带或不带尾纤的半导体光电子器件

General specification for semiconductor optoelectronic device

SJ 2247-1982 半导体外形尺寸

Outlines dimension for semiconductor optoelectronic devices

GB 12565-1990 半导体 分规范

GJB 33/20-2011 半导体 GH302型耦合详细规范

本规范规定了GH302型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH302 photocoupler

GJB 33/22-2011 半导体 GO103型耦合详细规范

本规范规定了GO103型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GO103 photocoupler

SJ 50033/112-1996 半导体.GD3251Y型二极管详细规范

Scmiconductor optoelectronic devices.Detail specification for type GD3251Y photodiodes

GB/T 12565-1990 半导体 分规范 (可供认证用)

本规范应与其有关的总规范一起使用;本规范规定了评定半导体光电子器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选顺序、抽样要求、试验和测试方法的细节

Semiconductor devices--Sectional specification for optoelectronic devices

GJB 33/19-2011 半导体 GH302-4型耦合详细规范

本规范规定了GH302-4型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH302-4 photocoupler

GJB 33/23-2011 半导体 GH3201Z-4型耦合详细规范

本规范规定了GH3201Z-4型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH3201Z-4 photocoupler

GJB 33/21-2011 半导体 GD310A系列耦合详细规范

本规范规定了GD310A型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for GD310A series photocopier

YD/T 2342-2011 通信用可靠性试验方法

本标准规定了通信用光电子器件可靠性试验方法的一般要求和详细要求,包括:试验目的、设备、条件、程序、检验及失效判据。 本标准适用于通信用光电子器件,包括但不限于激光二极管、发光二极管、光电二极管、雪崩光电二极管及由它们组成的组件或模块,简称“光电子器件”。其他领域的光电子器件也可参照使用

Reliability test method for optoelectronic devices used in telecommunications

SJ 20644.2-2001 半导体 GD101型PIN二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GD101 PIN photodiode

SJ 20644.1-2001 半导体 GD3550Y型PIN二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GD3550Y PIN photodiode

GB 15651.4-2017 半导体 分立 第5-4部分: 半导体激

SJ 50033/111-1996 半导体GTI6型硅NPN晶体管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Delail specification for type GT16 Si.NPN phototransistor

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