光电子器件检测

📅 发布时间:2024-05-27 👤 来源:北检院 👁 阅读:

GJB 8119-2013 半导体通用规范

本规范规定了半导体光电子器件(以下简称“器件”或“产品”)的分类、生产和交付的通用要求,以及质量和可靠性保证要求。本规范适用于带或不带尾纤的半导体光电子器件

General specification for semiconductor optoelectronic device

SJ 2247-1982 半导体外形尺寸

Outlines dimension for semiconductor optoelectronic devices

GB 12565-1990 半导体 分规范

GJB 33/20-2011 半导体 GH302型耦合详细规范

本规范规定了GH302型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH302 photocoupler

GJB 33/22-2011 半导体 GO103型耦合详细规范

本规范规定了GO103型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GO103 photocoupler

SJ 50033/112-1996 半导体.GD3251Y型二极管详细规范

Scmiconductor optoelectronic devices.Detail specification for type GD3251Y photodiodes

GB/T 12565-1990 半导体 分规范 (可供认证用)

本规范应与其有关的总规范一起使用;本规范规定了评定半导体光电子器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选顺序、抽样要求、试验和测试方法的细节

Semiconductor devices--Sectional specification for optoelectronic devices

GJB 33/19-2011 半导体 GH302-4型耦合详细规范

本规范规定了GH302-4型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH302-4 photocoupler

GJB 33/23-2011 半导体 GH3201Z-4型耦合详细规范

本规范规定了GH3201Z-4型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH3201Z-4 photocoupler

GJB 33/21-2011 半导体 GD310A系列耦合详细规范

本规范规定了GD310A型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for GD310A series photocopier

YD/T 2342-2011 通信用可靠性试验方法

本标准规定了通信用光电子器件可靠性试验方法的一般要求和详细要求,包括:试验目的、设备、条件、程序、检验及失效判据。 本标准适用于通信用光电子器件,包括但不限于激光二极管、发光二极管、光电二极管、雪崩光电二极管及由它们组成的组件或模块,简称“光电子器件”。其他领域的光电子器件也可参照使用

Reliability test method for optoelectronic devices used in telecommunications

SJ 20644.2-2001 半导体 GD101型PIN二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GD101 PIN photodiode

SJ 20644.1-2001 半导体 GD3550Y型PIN二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GD3550Y PIN photodiode

GB 15651.4-2017 半导体 分立 第5-4部分: 半导体激

SJ 50033/111-1996 半导体GTI6型硅NPN晶体管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Delail specification for type GT16 Si.NPN phototransistor

GJB 8119-2013 半导体通用规范

本规范规定了半导体光电子器件(以下简称“器件”或“产品”)的分类、生产和交付的通用要求,以及质量和可靠性保证要求。本规范适用于带或不带尾纤的半导体光电子器件

General specification for semiconductor optoelectronic device

SJ 2247-1982 半导体外形尺寸

Outlines dimension for semiconductor optoelectronic devices

GB 12565-1990 半导体 分规范

GJB 33/20-2011 半导体 GH302型耦合详细规范

本规范规定了GH302型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH302 photocoupler

GJB 33/22-2011 半导体 GO103型耦合详细规范

本规范规定了GO103型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GO103 photocoupler

SJ 50033/112-1996 半导体.GD3251Y型二极管详细规范

Scmiconductor optoelectronic devices.Detail specification for type GD3251Y photodiodes

GB/T 12565-1990 半导体 分规范 (可供认证用)

本规范应与其有关的总规范一起使用;本规范规定了评定半导体光电子器件所需的质量评定程序、检验要求、筛选顺序、抽样要求、试验和测试方法的细节

Semiconductor devices--Sectional specification for optoelectronic devices

GJB 33/19-2011 半导体 GH302-4型耦合详细规范

本规范规定了GH302-4型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH302-4 photocoupler

GJB 33/23-2011 半导体 GH3201Z-4型耦合详细规范

本规范规定了GH3201Z-4型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH3201Z-4 photocoupler

GJB 33/21-2011 半导体 GD310A系列耦合详细规范

本规范规定了GD310A型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for GD310A series photocopier

YD/T 2342-2011 通信用可靠性试验方法

本标准规定了通信用光电子器件可靠性试验方法的一般要求和详细要求,包括:试验目的、设备、条件、程序、检验及失效判据。 本标准适用于通信用光电子器件,包括但不限于激光二极管、发光二极管、光电二极管、雪崩光电二极管及由它们组成的组件或模块,简称“光电子器件”。其他领域的光电子器件也可参照使用

Reliability test method for optoelectronic devices used in telecommunications

SJ 20644.2-2001 半导体 GD101型PIN二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GD101 PIN photodiode

SJ 20644.1-2001 半导体 GD3550Y型PIN二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for type GD3550Y PIN photodiode

GB 15651.4-2017 半导体 分立 第5-4部分: 半导体激

SJ 50033/111-1996 半导体GTI6型硅NPN晶体管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Delail specification for type GT16 Si.NPN phototransistor

编辑:北检院编辑部

我们的优势

选择北检院的六大理由

📚

CMA/CNAS 双认证

旗下实验室具备国家认证认可监督管理委员会CMA资质认定及中国合格评定国家认可委员会CNAS实验室认可,检测报告具有国际公信力。

🔬

1000+ 台套先进设备

配备扫描电镜、气质联用仪、电感耦合等离子体质谱仪等国际先进检测仪器,确保数据精准可靠。

🏢

15000+ 平米实验室

拥有规模化专业检测基地,涵盖材料、化工、食品、环境等多个专业实验室,满足多领域检测需求。

👥

资深技术团队

汇聚材料科学、化学分析、环境工程等领域专家,拥有10年+行业经验,提供专业可靠的检测分析服务。

快速响应机制

标准检测周期短至3个工作日,加急服务24小时出具报告,全程一对一工程师跟进,确保高效交付。

🌎

全国服务网络

总部位于北京,山东设立分部,服务覆盖全国,为20万+客户提供便捷的一站式检测解决方案。

荣誉资质

旗下实验室资质荣誉

CMA 检验检测机构资质认定

CMA 检验检测机构资质认定

国家认证认可监督管理委员会颁发,具备向社会出具具有证明作用数据的资质。

CNAS 实验室认可证书

CNAS 实验室认可证书

中国合格评定国家认可委员会认可,检测结果获国际互认,具有国际公信力。

ISO 质量管理体系认证

ISO 质量管理体系认证

通过ISO 质量管理体系认证,管理体系实现规范化、标准化。

绿色低碳诚信示范创建企业

绿色低碳诚信示范创建企业

荣获绿色低碳诚信示范创建企业称号,践行可持续发展理念,推动绿色低碳转型,助力"双碳"目标实现。

北京市创新型中小企业

北京市"创新型"中小企业

经北京市经济和信息化局认定的创新型中小企业,具备较强创新能力与较高专业化水平,是优质中小企业梯度培育体系的重要基础力量。

北京市专精特新中小企业

北京市"专精特新"中小企业

经北京市经济和信息化局认定的专精特新中小企业,具备专业化、精细化、特色化、新颖化发展特征,在细分领域具有较强竞争优势。

查看全部资质

仪器设备

国际先进检测仪器,确保检测数据精准可靠

查看全部设备

检测流程

标准化流程,高效交付

01

需求沟通

客户提交检测需求,技术顾问一对一沟通,明确检测项目与标准。

02

样品寄送

客户按照规范要求寄送样品,实验室确认样品状态与数量。

03

实验检测

专业工程师按照标准方法进行检测分析,全程质量控制。

04

数据审核

检测数据经多级审核,确保结果准确、可靠、可追溯。

05

报告出具

出具检测报告,支持电子版与纸质版,快递送达。

VR实验室720°全景 NEW · 全新上线 VR实验室上线啦! 720°全景实景观览 · 足不出户走进实验室 立即体验