半导体分立器件（失效分析）检测

GJB 3157-1998 半导体分立器件失效分析方法和程序

QJ 1906-1990 半导体器件破坏性物理分析及失效分析程序和方法

器件

GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

通常，本标准需要与IEC 747-1-1983《半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分：总则》一起使用。在IEC 747-1中，可找到下列的全部基础资料： --术语； --文字符号； --基本额定值和特性； --测试方法

Semiconductor devices. Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors

BS IEC 60747-14-4:2011 半导体器件.分立器件.半导体加速器

Semiconductor devices. Discrete devices. Semiconductor accelerometers

TIS 2121-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices.discrete devices.part 8: field.effect transistors

IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

IEC 60747-8:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

IEC 60747-8:2010 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管

This part of IEC 60747 gives standards for the following categories of field-effect transistors: – type A: junction-gate type; – type B

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

IEC 60747-8:1984 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices. Discrete devices. Part 8 : Field-effect transistors

KS C IEC 60747-8:2020 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices — Discrete devices —Part 8: Field-effect transistors

IEC 60747-8-2010+AMD1-2021 CSV 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

IEC 60747-8-2010 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

BS IEC 60747-8:2010 半导体装置.分立器件.场效应晶体管

Semiconductor devices. Discrete devices. Field-effect transistors

TIS 1863-2009 半导体器件.分立器件

Semiconductor devices.discrete devices

EN 60747-15:2012 半导体器件.分立器件.第15部分:独立的电力半导体器件

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 15: Isolated power semiconductor devices

GJB 3157-1998 半导体分立器件失效分析方法和程序

QJ 1906-1990 半导体器件破坏性物理分析及失效分析程序和方法

器件

GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

通常，本标准需要与IEC 747-1-1983《半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分：总则》一起使用。在IEC 747-1中，可找到下列的全部基础资料： --术语； --文字符号； --基本额定值和特性； --测试方法

Semiconductor devices. Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors

BS IEC 60747-14-4:2011 半导体器件.分立器件.半导体加速器

Semiconductor devices. Discrete devices. Semiconductor accelerometers

TIS 2121-2002 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices.discrete devices.part 8: field.effect transistors

IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

IEC 60747-8:2021 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

IEC 60747-8:2010 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管

This part of IEC 60747 gives standards for the following categories of field-effect transistors: – type A: junction-gate type; – type B

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

IEC 60747-8:1984 半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices. Discrete devices. Part 8 : Field-effect transistors

KS C IEC 60747-8:2020 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices — Discrete devices —Part 8: Field-effect transistors

IEC 60747-8-2010+AMD1-2021 CSV 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

IEC 60747-8-2010 半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors

BS IEC 60747-8:2010 半导体装置.分立器件.场效应晶体管

Semiconductor devices. Discrete devices. Field-effect transistors

TIS 1863-2009 半导体器件.分立器件

Semiconductor devices.discrete devices

EN 60747-15:2012 半导体器件.分立器件.第15部分:独立的电力半导体器件

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 15: Isolated power semiconductor devices