SJ/T 10739-1996 半导体集成电路 MOS随机存储器测试方法的基本原理
Semiconductor integrated circuits - General principles of measuring methods for MOS random access memories
SJ 50597/38-1995 半导体集成电路.JM2148H型NMOS 1024×4位静态随机存取存储器详细规范
Semiconductor integrated circuits.Detail specification of type JM2148H NMOS 1024×4 bit static random access memory
SJ/T 10740-1996 半导体集成电路 双极型随机存储器测试方法的基本原理
Semiconductor integrated circuits - General principles of measuring methods for bipolar random access memories
GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法
本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试
Semiconductor integrated circuit.Measuring methods for flash memory
GB/T 17574.9-2006 半导体器件.集成电路.第2-9部分:数字集成电路.紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范
IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC的章程，并在IEC的授权下进行工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件需进一步试验而为其他所有参加国同样接受
Semiconductor devices.Integrated circuits.Part 2-9:Digital integrated circuits.Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories
GJB/Z 42.3-1993 军用微电路系列型谱 半导体集成电路 微型计算机与存储器集成电路
GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
DLA SMD-5962-87002 REV E-2006 硅单块 2KX8双门静态随机存取存储器,氧化物半导体,数字主体储存器微型电路
This drawing describes device requirements for MIL-STD-883 compliant, non-JAN class level B microcircuits in accordance with MIL-PRF-38535, appendix
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
KS C IEC 60748-2-8:2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第8节:集成电路静态读、写存储器
서 문 이 규격은 1993년 초판으로 발행된 IEC 60748-2-8(1993-07
Semiconductor devices－Integrated circuits－Part 2：Digital integrated circuits－Section 8：Blank detail specification for integrated circuits static read/write memories
GB/T 17574.10-2003 半导体器件 集成电路 第2-10部分;数字集成电路集成电路动态读/写存储器空白详细规范
IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC的章程，并在IEC的授权下进行工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。 本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并且与下列标准一起使用
Semiconductor devices-Integrated circuits-Part 2-10:Digital integrated circuits-Blank detail specification for integrated circuit dynamic read/write memories
DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 静电噪声的随机数字存储存储器混合互补金属氧化物半导体微电路
This drawing documents five product assurance classes as defined in paragraph 1.2.3 and MIL-PRF-38534. A choice of case outlines and lead finishes
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 32-BIT
IEC 60748-2-9:1994 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第9节:MOS紫外线擦除可编程只读存储器空白详细规范
本规范描述了半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第9节:MOS紫外线擦除可编程只读存储器空白详细规范
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2: Digital integrated circuits; section 9: Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022 半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第9节:MOS紫外光可擦除电可编程只读存储器空白详细规范
Semiconductor devices－Integrated circuits－Part 2：Digital integrated circuits－Section 9：Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read－only memories
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017 半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第9节:MOS紫外光可擦除电可编程只读存储器空白详细规范
Semiconductor devices－Integrated circuits－Part 2：Digital integrated circuits－Section 9：Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read－only memories
IEC 60748-2-9-1994 半导体器件 - 集成电路 - 第2部分:数字集成电路 - 第9节:MOS紫外线可擦除电可编程只读存储器的空白详细规范
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2: Digital integrated circuits - Section 9: Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memorie
SJ/T 10739-1996 半导体集成电路 MOS随机存储器测试方法的基本原理
Semiconductor integrated circuits - General principles of measuring methods for MOS random access memories
SJ 50597/38-1995 半导体集成电路.JM2148H型NMOS 1024×4位静态随机存取存储器详细规范
Semiconductor integrated circuits.Detail specification of type JM2148H NMOS 1024×4 bit static random access memory
SJ/T 10740-1996 半导体集成电路 双极型随机存储器测试方法的基本原理
Semiconductor integrated circuits - General principles of measuring methods for bipolar random access memories
GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法
本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试
Semiconductor integrated circuit.Measuring methods for flash memory
GB/T 17574.9-2006 半导体器件.集成电路.第2-9部分:数字集成电路.紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范
IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC的章程，并在IEC的授权下进行工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件需进一步试验而为其他所有参加国同样接受
Semiconductor devices.Integrated circuits.Part 2-9:Digital integrated circuits.Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories
GJB/Z 42.3-1993 军用微电路系列型谱 半导体集成电路 微型计算机与存储器集成电路
GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法
Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
DLA SMD-5962-87002 REV E-2006 硅单块 2KX8双门静态随机存取存储器,氧化物半导体,数字主体储存器微型电路
This drawing describes device requirements for MIL-STD-883 compliant, non-JAN class level B microcircuits in accordance with MIL-PRF-38535, appendix
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 DUAL PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
KS C IEC 60748-2-8:2002 半导体器件.集成电路.第2部分:数字集成电路.第8节:集成电路静态读、写存储器
서 문 이 규격은 1993년 초판으로 발행된 IEC 60748-2-8(1993-07
Semiconductor devices－Integrated circuits－Part 2：Digital integrated circuits－Section 8：Blank detail specification for integrated circuits static read/write memories
GB/T 17574.10-2003 半导体器件 集成电路 第2-10部分;数字集成电路集成电路动态读/写存储器空白详细规范
IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC的章程，并在IEC的授权下进行工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国按有关规范要求放行的电子元器件需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。 本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并且与下列标准一起使用
Semiconductor devices-Integrated circuits-Part 2-10:Digital integrated circuits-Blank detail specification for integrated circuit dynamic read/write memories
DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 静电噪声的随机数字存储存储器混合互补金属氧化物半导体微电路
This drawing documents five product assurance classes as defined in paragraph 1.2.3 and MIL-PRF-38534. A choice of case outlines and lead finishes
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 32-BIT
IEC 60748-2-9:1994 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第9节:MOS紫外线擦除可编程只读存储器空白详细规范
本规范描述了半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第9节:MOS紫外线擦除可编程只读存储器空白详细规范
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2: Digital integrated circuits; section 9: Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022 半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第9节:MOS紫外光可擦除电可编程只读存储器空白详细规范
Semiconductor devices－Integrated circuits－Part 2：Digital integrated circuits－Section 9：Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read－only memories
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017 半导体器件集成电路第2部分:数字集成电路第9节:MOS紫外光可擦除电可编程只读存储器空白详细规范
Semiconductor devices－Integrated circuits－Part 2：Digital integrated circuits－Section 9：Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read－only memories
IEC 60748-2-9-1994 半导体器件 - 集成电路 - 第2部分:数字集成电路 - 第9节:MOS紫外线可擦除电可编程只读存储器的空白详细规范
Semiconductor devices - Integrated circuits - Part 2: Digital integrated circuits - Section 9: Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memorie
编辑：北检院编辑部
