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高纯碳化硅检测

发布时间:2024-05-27 17:49:26 - 更新时间:2024年06月29日 15:22

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军工检测 其他检测

GB/T 37254-2018 微量元素的测定

High purity silicon carbide—Determination of trace elements

JC/T 2149-2012 粉体成分分析方法

本标准规定了高纯碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定方法。本标准适用于碳化硅含量范围为99.9%~99.99%的碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定,测定范围见表1

Method for constitution analysis of high purity silicon carbide

T/ZZB 2283-2021 半导体级单晶用超石墨粉

本文件规定了半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉的术语和定义、材料规格说明、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存、质量承诺。 本文件适用于纯度达到5 N(99.999 wt%)以上的半导体级碳化硅单晶用石墨粉

Ultra-high purity graphite powder for semiconductor silicon carbide crystal

SJ 2593-1985 四氯

本标准适用于生长半导体器件及集成电路的硅外延片和生产光通讯器什川光纤予制件的四氯化硅

Pure silicon tetrachloride

GB/T 23938-2021 二氧

High purity carbon dioxide

GB/T 23938-2009 二氧

本标准规定了高纯二氧化碳的要求、试验方法以及包装、标志、贮运及安全警示。 本标准适用于以工业二氧化碳为原料经纯化制得的高纯二氧化碳。高纯二氧化碳主要用于激光、电子工业、反应堆气体冷却剂、科学研究等领域

High purity carbon dioxide

SR 5063/5-1993 金刚砂含量测定

Prezentul standard stabile?te metodele de determinare a con?inutului de carbur? de siliciu pura din carbura de siliciu tehnic?. Carbura de siliciu pur

Silicon carbide. Determination of pure silicon carbide content

YB/T 4460-2015

本标准规定了高纯硅铁的术语和定义、牌号表示方法、技术要求、试验方法、检验规则、包装、储运、标志和质量证明书。 本标准适用于炼钢、铸造及精密冶金等用途的高纯硅铁

High purity ferrosilicon

DB42/T 567-2009

High pure ferrosilicon

DB63/T 998-2011

YB 4035-1991 炉用氮结合

YB/T 4035-1991 炉用氮结合

YB/T 4349-2013 炉用-质捣打料

本标准规定了高炉用碳化硅-碳质捣打料的分类、技术要求、试验方法、质量评定程序、包装、标志、运输、储存及质量证明书。本标准适用于高炉冷却壁及相关部位用碳化硅-碳质捣打料

Silicon carbide-carbon ramming materials for blast furnace

HG/T 4508-2013 酸锶

本标准规定了高纯碳酸锶的要求,试验方法,检验规则以及标志、标签,包装、运输、贮存。本标准适用于高纯碳酸锶,该产品主要用于玻璃基板、发光材料、电子元器件、高性能锶铁氧体等的生产

High purity strontium carbonate

YS/T 546-2008 酸锂

本标准规定了高纯碳酸锂的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内容。 本标准适用于以精制单水氢氧化锂为原料,采用碳酸盐沉淀法生产的高纯碳酸锂。产品用于制取铌酸锂、钽酸锂声学级单晶、光学级单晶及声像设备等

High purity lithium carbonate

GB/T 37254-2018 微量元素的测定

High purity silicon carbide—Determination of trace elements

JC/T 2149-2012 粉体成分分析方法

本标准规定了高纯碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定方法。本标准适用于碳化硅含量范围为99.9%~99.99%的碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定,测定范围见表1

Method for constitution analysis of high purity silicon carbide

T/ZZB 2283-2021 半导体级单晶用超石墨粉

本文件规定了半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉的术语和定义、材料规格说明、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存、质量承诺。 本文件适用于纯度达到5 N(99.999 wt%)以上的半导体级碳化硅单晶用石墨粉

Ultra-high purity graphite powder for semiconductor silicon carbide crystal

SJ 2593-1985 四氯

本标准适用于生长半导体器件及集成电路的硅外延片和生产光通讯器什川光纤予制件的四氯化硅

Pure silicon tetrachloride

GB/T 23938-2021 二氧

High purity carbon dioxide

GB/T 23938-2009 二氧

本标准规定了高纯二氧化碳的要求、试验方法以及包装、标志、贮运及安全警示。 本标准适用于以工业二氧化碳为原料经纯化制得的高纯二氧化碳。高纯二氧化碳主要用于激光、电子工业、反应堆气体冷却剂、科学研究等领域

High purity carbon dioxide

SR 5063/5-1993 金刚砂含量测定

Prezentul standard stabile?te metodele de determinare a con?inutului de carbur? de siliciu pura din carbura de siliciu tehnic?. Carbura de siliciu pur

Silicon carbide. Determination of pure silicon carbide content

YB/T 4460-2015

本标准规定了高纯硅铁的术语和定义、牌号表示方法、技术要求、试验方法、检验规则、包装、储运、标志和质量证明书。 本标准适用于炼钢、铸造及精密冶金等用途的高纯硅铁

High purity ferrosilicon

DB42/T 567-2009

High pure ferrosilicon

DB63/T 998-2011

YB 4035-1991 炉用氮结合

YB/T 4035-1991 炉用氮结合

YB/T 4349-2013 炉用-质捣打料

本标准规定了高炉用碳化硅-碳质捣打料的分类、技术要求、试验方法、质量评定程序、包装、标志、运输、储存及质量证明书。本标准适用于高炉冷却壁及相关部位用碳化硅-碳质捣打料

Silicon carbide-carbon ramming materials for blast furnace

HG/T 4508-2013 酸锶

本标准规定了高纯碳酸锶的要求,试验方法,检验规则以及标志、标签,包装、运输、贮存。本标准适用于高纯碳酸锶,该产品主要用于玻璃基板、发光材料、电子元器件、高性能锶铁氧体等的生产

High purity strontium carbonate

YS/T 546-2008 酸锂

本标准规定了高纯碳酸锂的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存及订货单(或合同)内容。 本标准适用于以精制单水氢氧化锂为原料,采用碳酸盐沉淀法生产的高纯碳酸锂。产品用于制取铌酸锂、钽酸锂声学级单晶、光学级单晶及声像设备等

High purity lithium carbonate

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