发布时间：2024-05-27 17:49:26 - 更新时间：2024年06月29日 15:22
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1.1本标准规定了硅单晶的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存。 1.2 本标准适用于直拉、悬浮区溶合中子嬗变掺杂制备的产品主要用于制作半导体元器件
Monoccrystslline silicon
Silicon single crystal
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于由直拉法制备的硅单晶,主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13 µm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片
300 mm monocrystalline silicon
本标准规定了硅单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于用直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂）制备的硅单晶，产品主要供制作半导体元器件使用
Monocrystalline silicon
碳化硅作为重要的宽禁带半导体材料，与硅和砷化镓等传统半导体相比，在热导率、击穿场强、饱和电子漂移速率、键合能和化学稳定性等方面具有明显的优势，是制作高温、高频、高压、高功率以及抗辐射器件的理想材料，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景
本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片,产品用于技术代180nm~22nm 的集成电路
Annealed monocrystalline silicon wafers
本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底
Monocrystalline silicon polished wafers
碳化硅材料是继第一代半导体材料(以硅为代表)和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表) 之后，在近十年发展起来的第三代新型半导体材料。其主要应用领域有LED固态照明、电力电子和微波射频器件。该材料具有宽禁带、高漂移速度、高击穿电场、高热导率、抗辐射等优良特性，在高温、高压、高频、高功率等
Monocrystalline Silicon Carbide
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术
300 mm polished monocrystalline silicon wafers
本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管
Monocrystalline silicon etched wafers
Monocrystalline silicon polished wafers
本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法，检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶
Monocrystalline silicon of solar cell
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
1.1本标准规定了硅单晶的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存。 1.2 本标准适用于直拉、悬浮区溶合中子嬗变掺杂制备的产品主要用于制作半导体元器件
Monoccrystslline silicon
Silicon single crystal
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于由直拉法制备的硅单晶,主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13 µm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片
300 mm monocrystalline silicon
本标准规定了硅单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于用直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂）制备的硅单晶，产品主要供制作半导体元器件使用
Monocrystalline silicon
碳化硅作为重要的宽禁带半导体材料，与硅和砷化镓等传统半导体相比，在热导率、击穿场强、饱和电子漂移速率、键合能和化学稳定性等方面具有明显的优势，是制作高温、高频、高压、高功率以及抗辐射器件的理想材料，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景
本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片,产品用于技术代180nm~22nm 的集成电路
Annealed monocrystalline silicon wafers
本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底
Monocrystalline silicon polished wafers
碳化硅材料是继第一代半导体材料(以硅为代表)和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表) 之后，在近十年发展起来的第三代新型半导体材料。其主要应用领域有LED固态照明、电力电子和微波射频器件。该材料具有宽禁带、高漂移速度、高击穿电场、高热导率、抗辐射等优良特性，在高温、高压、高频、高功率等
Monocrystalline Silicon Carbide
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术
300 mm polished monocrystalline silicon wafers
本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管
Monocrystalline silicon etched wafers
Monocrystalline silicon polished wafers
本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法，检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶
Monocrystalline silicon of solar cell
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
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