DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片
本标准规定了半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光半导体发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行
Semiconductor LED chip
SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉
本标准规定了半导体发光二级管用荧光粉相关的名词术语及其定义,还规定了半导体发光二极管用铝酸盐和硅酸盐荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求
Phosphors for light emitting diodes
SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法
本标准规定了半导体发光二极管（以下简称器件）的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光、白光半导体发光二极管。紫外发射二极管、红外发射二极管、半导体发光组件和芯片的测试可参考执行
Measure methods of semiconductor light emitting diodes
SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
本标准规定了半导体发光二极管芯片的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行
Measurement methods for chips of light emitting diodes
SJ/T 11401-2009 半导体发光二极管产品系列型谱
本标准规定了半导体发光二极管产品的标准系列和品种,以及选择和应用的导则。 本标准适用于可见光和白光半导体发光二极管,其应用领域有指示显示、图形和文字显示、装饰显示、照明显示
Series program for semiconductor light emitting diodes
GJB 2146A-2011 半导体发光二极管器件通用规范
SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品的技术要求、检验规则和检验方法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定
Technical specification for power light-emitting diode chips
GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片
Technical specification for power light-emitting diode chips
GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范
本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片
Technical specification for middle power light-emitting diode chips
GB/T 39771.2-2021 半导体发光二极管光辐射安全 第2部分：测试方法
GB/T39771 的本部分规定了半导体发光二极管(以下简称LED)的光辐射安全的一般要求、测试要求、测试方法。本部分适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域(300nm~780nm)的单芯片或多芯片LED
Optical radiation safety of LEDs—Part 2: Measurement methods
SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》应用指南
GB/T 39771.1-2021 半导体发光二极管光辐射安全 第1部分：要求与等级分类方法
GB/T39771 的本部分规定了半导体发光二极管(以下简称LED)的光辐射安全要求与危险等级分类方法。本部分适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域(300nm~780nm)的单芯片或多芯片LED
Optical radiation safety of LEDs—Part 1: Safety requirements and classification
STAS 12258/4-1986 光电半导体设备．发光二极管术语和主要特性
Prezentul standard stabile?te terminologia ?i caracteristicile principale (valori limit? absolute ?i caracteristici optoelectrice) specifice diodelor
Optoelectronic semiconductor devices LIGHT EMITTING DIODES Terminology and main characteristics
SJ 2658.1-1986 半导体红外发光二极管测试方法.总则
Methods of measurement for semiconductor infrared diodes General rules
SJ 2658.4-1986 半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法
Methods of measurement for semiconductor infrared diodes Methods of measurement for capacitance
DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片
本标准规定了半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光半导体发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行
Semiconductor LED chip
SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉
本标准规定了半导体发光二级管用荧光粉相关的名词术语及其定义,还规定了半导体发光二极管用铝酸盐和硅酸盐荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求
Phosphors for light emitting diodes
SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法
本标准规定了半导体发光二极管（以下简称器件）的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光、白光半导体发光二极管。紫外发射二极管、红外发射二极管、半导体发光组件和芯片的测试可参考执行
Measure methods of semiconductor light emitting diodes
SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
本标准规定了半导体发光二极管芯片的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行
Measurement methods for chips of light emitting diodes
SJ/T 11401-2009 半导体发光二极管产品系列型谱
本标准规定了半导体发光二极管产品的标准系列和品种,以及选择和应用的导则。 本标准适用于可见光和白光半导体发光二极管,其应用领域有指示显示、图形和文字显示、装饰显示、照明显示
Series program for semiconductor light emitting diodes
GJB 2146A-2011 半导体发光二极管器件通用规范
SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品的技术要求、检验规则和检验方法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定
Technical specification for power light-emitting diode chips
GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片
Technical specification for power light-emitting diode chips
GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范
本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片
Technical specification for middle power light-emitting diode chips
GB/T 39771.2-2021 半导体发光二极管光辐射安全 第2部分：测试方法
GB/T39771 的本部分规定了半导体发光二极管(以下简称LED)的光辐射安全的一般要求、测试要求、测试方法。本部分适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域(300nm~780nm)的单芯片或多芯片LED
Optical radiation safety of LEDs—Part 2: Measurement methods
SJ/T 11577-2016 SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》应用指南
GB/T 39771.1-2021 半导体发光二极管光辐射安全 第1部分：要求与等级分类方法
GB/T39771 的本部分规定了半导体发光二极管(以下简称LED)的光辐射安全要求与危险等级分类方法。本部分适用于光辐射波长为近紫外和可见光区域(300nm~780nm)的单芯片或多芯片LED
Optical radiation safety of LEDs—Part 1: Safety requirements and classification
STAS 12258/4-1986 光电半导体设备．发光二极管术语和主要特性
Prezentul standard stabile?te terminologia ?i caracteristicile principale (valori limit? absolute ?i caracteristici optoelectrice) specifice diodelor
Optoelectronic semiconductor devices LIGHT EMITTING DIODES Terminology and main characteristics
SJ 2658.1-1986 半导体红外发光二极管测试方法.总则
Methods of measurement for semiconductor infrared diodes General rules
SJ 2658.4-1986 半导体红外发光二极管测试方法.电容的测试方法
Methods of measurement for semiconductor infrared diodes Methods of measurement for capacitance
编辑：北检院编辑部
