发布时间：2024-05-27 17:49:26 - 更新时间：2024年06月29日 15:22
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本标准规定了重结晶碳化硅板的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和储存等。 本标准适用于氧化气氛下工作温度不超过1600 ℃、还原气氛下工作温度不超过1700℃注浆成型的重结晶碳化硅板
Special products of silicon carbide Recrystallized silicon carbide Plate
本标准规定了氮化硅结合碳化硅板制品的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于工作温度不高于1 500℃压制成型的氮化硅结合碳化硅的棚板、隔焰板及其他板
Special products of silicon carbide-Silicon nitride bonded silicon carbide-Plate
本标准规定了氧化硅结合碳化硅板的代号、尺寸规格、技术要求、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于工作温度不高于1400℃的氧化硅结合碳化硅板
Special products of silicon carbide Slab of silicon dioxide bonded silicon carbide
本标准规定了氮化硅结合碳化硅板制品的代号、尺寸规格、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于工作温度不高于 1500℃ 的氮化硅结合碳化硅的棚板、隔焰板及其它板
Special products of silicon carbide.Slab of silicon nitride bonded silicon carbide
本标准规定了氧化硅结合碳化硅板的代号、尺寸规格、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。本标准适用于工作温度不高于1 400℃的氧化硅结合碳化硅板
Special products of silicon carbide.Slab of silicon dioxide bonded silicon carbide
本标准规定了氮化硅结合碳化硅方梁的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于工作温度不超过1450℃注浆成型的氮化硅结合碳化硅方梁
Special products of silicon carbide.Silicon nitride bonded silicon carbide.Beam
本标准规定了重结晶碳化硅方梁的尺寸规格、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。 本标准适用于工作温度不超过1600℃(氧化气氛)的注浆成型的重结晶碳化硅方梁
Special product of silicon carbide-Beam of recrystallized silicon carbide
Prezentul standard se refer? la carbura de siliciu sub form? de granule, ob?inut? pe cale electrotermic? ?i care se utilizeaz? la fabricarea sculelor
Silicon carbld
本标准规定了反应烧结碳化硅板的产品分类与标记、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。 本标准适用于工作温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅板
Special products of silicon carbide.Reaction bonded silicon carbide plate
本标准规定了氮化硅结合碳化硅烧嘴套的产品分类、技术要求、检验方法、验收规则及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于工作温度不高于1500 ℃的氮化硅结合碳化硅烧嘴套
Special products of silicon carbide Silicon nitride bonded silicon carbide Nozzle tubes
本标准规定了反应烧结碳化硅方梁的产品分类、技术要求、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于工作温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅方梁
Special products of silicon carbide. Reaction bonded silicon carbide Beam
1 Prezentul standard stabile?te metoda gravimetric? de determinare a con?inutului de earbur? de siliciu din produsele refractare carborundice. 2
Carborundic refractory materials. Silicon carbide content determination
碳化硅作为重要的宽禁带半导体材料，与硅和砷化镓等传统半导体相比，在热导率、击穿场强、饱和电子漂移速率、键合能和化学稳定性等方面具有明显的优势，是制作高温、高频、高压、高功率以及抗辐射器件的理想材料，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景
本标准规定了反应烧结碳化硅烧嘴套的产品分类、技术要求、检验方法、验收规则及标志、包装、运输和储存等。 本标准适用于工作温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅烧嘴套
Special products of silicon carbide Reaction bonded silicon carbide Nozzle tube
本标准规定了重结晶碳化硅板的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和储存等。 本标准适用于氧化气氛下工作温度不超过1600 ℃、还原气氛下工作温度不超过1700℃注浆成型的重结晶碳化硅板
Special products of silicon carbide Recrystallized silicon carbide Plate
本标准规定了氮化硅结合碳化硅板制品的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于工作温度不高于1 500℃压制成型的氮化硅结合碳化硅的棚板、隔焰板及其他板
Special products of silicon carbide-Silicon nitride bonded silicon carbide-Plate
本标准规定了氧化硅结合碳化硅板的代号、尺寸规格、技术要求、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于工作温度不高于1400℃的氧化硅结合碳化硅板
Special products of silicon carbide Slab of silicon dioxide bonded silicon carbide
本标准规定了氮化硅结合碳化硅板制品的代号、尺寸规格、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于工作温度不高于 1500℃ 的氮化硅结合碳化硅的棚板、隔焰板及其它板
Special products of silicon carbide.Slab of silicon nitride bonded silicon carbide
本标准规定了氧化硅结合碳化硅板的代号、尺寸规格、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。本标准适用于工作温度不高于1 400℃的氧化硅结合碳化硅板
Special products of silicon carbide.Slab of silicon dioxide bonded silicon carbide
本标准规定了氮化硅结合碳化硅方梁的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于工作温度不超过1450℃注浆成型的氮化硅结合碳化硅方梁
Special products of silicon carbide.Silicon nitride bonded silicon carbide.Beam
本标准规定了重结晶碳化硅方梁的尺寸规格、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。 本标准适用于工作温度不超过1600℃(氧化气氛)的注浆成型的重结晶碳化硅方梁
Special product of silicon carbide-Beam of recrystallized silicon carbide
Prezentul standard se refer? la carbura de siliciu sub form? de granule, ob?inut? pe cale electrotermic? ?i care se utilizeaz? la fabricarea sculelor
Silicon carbld
本标准规定了反应烧结碳化硅板的产品分类与标记、技术要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。 本标准适用于工作温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅板
Special products of silicon carbide.Reaction bonded silicon carbide plate
本标准规定了氮化硅结合碳化硅烧嘴套的产品分类、技术要求、检验方法、验收规则及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于工作温度不高于1500 ℃的氮化硅结合碳化硅烧嘴套
Special products of silicon carbide Silicon nitride bonded silicon carbide Nozzle tubes
本标准规定了反应烧结碳化硅方梁的产品分类、技术要求、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于工作温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅方梁
Special products of silicon carbide. Reaction bonded silicon carbide Beam
1 Prezentul standard stabile?te metoda gravimetric? de determinare a con?inutului de earbur? de siliciu din produsele refractare carborundice. 2
Carborundic refractory materials. Silicon carbide content determination
碳化硅作为重要的宽禁带半导体材料，与硅和砷化镓等传统半导体相比，在热导率、击穿场强、饱和电子漂移速率、键合能和化学稳定性等方面具有明显的优势，是制作高温、高频、高压、高功率以及抗辐射器件的理想材料，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景
本标准规定了反应烧结碳化硅烧嘴套的产品分类、技术要求、检验方法、验收规则及标志、包装、运输和储存等。 本标准适用于工作温度不高于1350℃的反应烧结碳化硅烧嘴套
Special products of silicon carbide Reaction bonded silicon carbide Nozzle tube
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