低压熔断器 半导体设备保护用熔断体检测

GB/T 13539.4-2005 低压熔断器 第4部分;半导体设备保护用熔断体的补充要求

本部分的补充要求用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，熔断体的额定电压不超过交流1 000V或标称电压不超过1 500 V。如果适应还可用于更高电压的电路。 注1：这种熔断器通称半导体熔断体。 注2：在多种情况下，组合设备的一部分可以用作熔断器底座，应由用户和制造商

Low-voltage fuses Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

GB/T 13539.4-2009 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

除GB 13539. 1-2008规定外，补充下列要求。 半导体设备保护用的熔断体应符合GB 13539. 1-2008的所有要求，下文中没有另外指明的，也应符合本部分规定的补充要求。 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或

Low-voltage fuses.Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

TIS 2114-2002 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low.voltage fuses.part 4: supplementary requirements for fuse.links for the protection of semiconductor devices

GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。 本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此

Low-voltage fuses.Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

IEC 60269-4:2006 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

These supplementary requirements apply to fuse-links for application in equipment containing semiconductor devices for circuits of nominal voltages

Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

DIN EN 60269-4:2008 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices (IEC 60269-4:2006); German version EN 60269-4:2007

IEC 60269-4/AMD2:2002 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求.修改件2

Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices; Amendment 2

GB/T 13539.7-2005 低压熔断器 第4部分;半导体设备保护用熔断体的补充要求 第1至3篇：标准化熔断体示例

本部分共分为3篇，每篇涉及一些标准尺寸的熔断体举例： 第1篇：螺栓连接熔断体 A型 范围：以下的补充要求适用于尺寸符合图1（1A）至图3（1A）要求的螺栓连接熔断体。其额定电压和电流如下： ——交流230V，电流不超过900A； ——交流690V

Low-voltage fuses Part 4-1:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices.Section I to III:Examples of types of standardized fuse-links

JUS N.E5.240-1991 低压熔断器．保护半导体设备的熔断器的补充要求

Low-voltage fuses. Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

CSN 35 4714-1983 半导体器件保护用低压熔断器

Schválení ST SEV 3242-81 doporu?ilo federální ministerstvo elektrotechnického pr?myslu. Zpracovatel: ZSE-OEZ Letohrad, k. p. - Franti?ek Hotmar

Low-voltage fusos for tho protection of semiconductor devices

BS EN 60269-4:2009+A1:2012 低压熔断器.保护半导体器件用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses. Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求

本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、I²t特性、电弧电压特性、试验和标志。 本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器件的设备上使用的熔断体。 注

Low-voltage fuses Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

IEC 60269-4:2012 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断器补充要求

Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

BS EN 60269-4:2009+A2:2016 低压熔断器 保护半导体器件熔断体的补充要求

Low-voltage fuses. Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

BS EN 60269-4:2007 低压熔断器.半导体装置保护用熔断体的补充要求

These supplementary requirements apply to fuse-links for application in equipment containing semiconductor devices for circuits of nominal voltages

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GB/T 13539.4-2005 低压熔断器 第4部分;半导体设备保护用熔断体的补充要求

本部分的补充要求用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，熔断体的额定电压不超过交流1 000V或标称电压不超过1 500 V。如果适应还可用于更高电压的电路。 注1：这种熔断器通称半导体熔断体。 注2：在多种情况下，组合设备的一部分可以用作熔断器底座，应由用户和制造商

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GB/T 13539.4-2009 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

除GB 13539. 1-2008规定外，补充下列要求。 半导体设备保护用的熔断体应符合GB 13539. 1-2008的所有要求，下文中没有另外指明的，也应符合本部分规定的补充要求。 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或

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TIS 2114-2002 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

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GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。 本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此

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IEC 60269-4:2006 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

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DIN EN 60269-4:2008 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices (IEC 60269-4:2006); German version EN 60269-4:2007

IEC 60269-4/AMD2:2002 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求.修改件2

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GB/T 13539.7-2005 低压熔断器 第4部分;半导体设备保护用熔断体的补充要求 第1至3篇：标准化熔断体示例

本部分共分为3篇，每篇涉及一些标准尺寸的熔断体举例： 第1篇：螺栓连接熔断体 A型 范围：以下的补充要求适用于尺寸符合图1（1A）至图3（1A）要求的螺栓连接熔断体。其额定电压和电流如下： ——交流230V，电流不超过900A； ——交流690V

Low-voltage fuses Part 4-1:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices.Section I to III:Examples of types of standardized fuse-links

JUS N.E5.240-1991 低压熔断器．保护半导体设备的熔断器的补充要求

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CSN 35 4714-1983 半导体器件保护用低压熔断器

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Low-voltage fusos for tho protection of semiconductor devices

BS EN 60269-4:2009+A1:2012 低压熔断器.保护半导体器件用熔断体的补充要求

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GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求

本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、I²t特性、电弧电压特性、试验和标志。 本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器件的设备上使用的熔断体。 注

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IEC 60269-4:2012 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断器补充要求

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BS EN 60269-4:2009+A2:2016 低压熔断器 保护半导体器件熔断体的补充要求

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BS EN 60269-4:2007 低压熔断器.半导体装置保护用熔断体的补充要求

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