发布时间：2024-05-27 17:49:26 - 更新时间：2024年06月29日 15:22
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本标准规定了硅烷气体的技术要求、试验方法及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于电子工业中多晶硅和单晶硅外延淀积、二氧化硅的低温化学汽相淀积、非晶硅薄膜淀积等
Gas for electronic industry-Silane
本标准规定了电子工业用硅烷气体的技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存和安全要求等。 本标准主要用于电子工业中多晶硅和单晶硅外延淀积、二氧化硅的低温化学汽相淀积、非晶硅薄膜淀积等。 分子式：SiH4 相对分子质量：32.117（按1991年国际相对原子质量
Gas for electronic industry--Silane
Gas for electronic industry—Silane
本标准规定了锗烷的技术要求、试验方法、标志、包装、贮运和安全。 本标准适用于氯化锗还原、电解氧化锗的硫酸溶液、锗镁合金与盐酸反应等方法得到的锗烷产品。 它用于化学试剂、制取高纯度锗、化学气相淀积、扩散、非晶硅、外延、离子注入等领域。 分子式：GeH4。 相对分子质量：76.662（按
Gas for electronic industry.Germane
本标准规定了电子工业用二氯硅烷的技术要求、检验规则、试验方法、标志、包装、运输、储存及安全的要求。 本标准适用于歧化法制备的二氯硅烷
Dichlorosilane for electronic industry
Industrial mixed gas silane/nitrogen
本标准规定了八氟丙烷的技术要求、试验方法、包装、标志、贮运和安全。 本标准适用于六氟丙烯或七氟丙烷氟化制备，并通过精馏、吸附、催化等工艺提纯的八氟丙烷产品，以及碳和氟直接反应法合成的八氟丙烷产品。它在电子工业等离子蚀刻工艺中作为蚀刻气体或清洗气体。 分子式：C3F8。 相对分子
Gas for electronic industry.Perfluoropropane
Gas for electronic industry—Trifluoromethane
Gas for electronic industry—Hexafluoroethane
本标准规定了四氟化硅的技术要求、试验方法、标志、包装、运输和贮存等内容。本标准适用于萤石硫酸法、六氟硅酸盐热分解法、单质硅直接氟化法制备的四氟化硅。它主要用作电子工业中等离子蚀刻、发光二极管P形掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料,也是生产多晶硅的重要原料。分子式
Gases for electronic industry.Silicon tetrafluoride
本文件规定了集成电路用乙硅烷的技术要求、检测方法、标志、包装与运储运安全的要求。 本文件适用于用硅化镁法（小松法）制备的乙硅烷。主要用于半导体行业氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等的气相沉积工艺中。其他工艺参照本文件执行
Gas disilane for integrated circuits
本标准规定了用气相色谱法测定电子工业用锗烷气体中杂质含量的方法。 本标准适用于电子工业用锗烷气体中氢、氧（氩）、氮、甲烷、一氧化碳、二氧化碳含量的测定。 各杂质组分的检测限：氢：0.02 μmol/mol、氧（氩）：0.01 μmol/mol、氮：0.01μmol/mol、甲烷：0.005 μmol
Determination of impurity content in germane gas for electronics industry - Gas chromatography
本标准规定了电子工业用气体氮技术要求、试验方法及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于以深冷法从空气中提取的气态和液态氮，以及经电化学方法得到的氮。它们在超大规模集成电路制造中用作保护、吹扫、覆盖、加压，化学气相淀积等
Gas for electronic industry.Nitrogen
本标准规定了电子工业用氢的技术要求、试验方法和包装、标志、安全等。 本标准适用于以工业氢为原料经纯化制取的钢瓶装氢气。氢主要被用来提供还原气氛，作为外延工艺的载气以及等离子体蚀刻剂的配气原料。 分子式：H2 相对分子质量：2.016（按1991年国际相对原子质量
Gases for electronic industry--Hydrogen
本标准规定了电子工业用氧的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于以深冷法、电解法提取的气态或液态氧，以及经纯化方法得到的氧。他们主要用于二氧化硅化学气相淀积，用作氧化源和生产高纯水的反应剂，用于等离子体蚀刻和剥离、光导纤维
Gas for electronic industry.Oxygen
本标准规定了硅烷气体的技术要求、试验方法及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于电子工业中多晶硅和单晶硅外延淀积、二氧化硅的低温化学汽相淀积、非晶硅薄膜淀积等
Gas for electronic industry-Silane
本标准规定了电子工业用硅烷气体的技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存和安全要求等。 本标准主要用于电子工业中多晶硅和单晶硅外延淀积、二氧化硅的低温化学汽相淀积、非晶硅薄膜淀积等。 分子式：SiH4 相对分子质量：32.117（按1991年国际相对原子质量
Gas for electronic industry--Silane
Gas for electronic industry—Silane
本标准规定了锗烷的技术要求、试验方法、标志、包装、贮运和安全。 本标准适用于氯化锗还原、电解氧化锗的硫酸溶液、锗镁合金与盐酸反应等方法得到的锗烷产品。 它用于化学试剂、制取高纯度锗、化学气相淀积、扩散、非晶硅、外延、离子注入等领域。 分子式：GeH4。 相对分子质量：76.662（按
Gas for electronic industry.Germane
本标准规定了电子工业用二氯硅烷的技术要求、检验规则、试验方法、标志、包装、运输、储存及安全的要求。 本标准适用于歧化法制备的二氯硅烷
Dichlorosilane for electronic industry
Industrial mixed gas silane/nitrogen
本标准规定了八氟丙烷的技术要求、试验方法、包装、标志、贮运和安全。 本标准适用于六氟丙烯或七氟丙烷氟化制备，并通过精馏、吸附、催化等工艺提纯的八氟丙烷产品，以及碳和氟直接反应法合成的八氟丙烷产品。它在电子工业等离子蚀刻工艺中作为蚀刻气体或清洗气体。 分子式：C3F8。 相对分子
Gas for electronic industry.Perfluoropropane
Gas for electronic industry—Trifluoromethane
Gas for electronic industry—Hexafluoroethane
本标准规定了四氟化硅的技术要求、试验方法、标志、包装、运输和贮存等内容。本标准适用于萤石硫酸法、六氟硅酸盐热分解法、单质硅直接氟化法制备的四氟化硅。它主要用作电子工业中等离子蚀刻、发光二极管P形掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料,也是生产多晶硅的重要原料。分子式
Gases for electronic industry.Silicon tetrafluoride
本文件规定了集成电路用乙硅烷的技术要求、检测方法、标志、包装与运储运安全的要求。 本文件适用于用硅化镁法（小松法）制备的乙硅烷。主要用于半导体行业氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等的气相沉积工艺中。其他工艺参照本文件执行
Gas disilane for integrated circuits
本标准规定了用气相色谱法测定电子工业用锗烷气体中杂质含量的方法。 本标准适用于电子工业用锗烷气体中氢、氧（氩）、氮、甲烷、一氧化碳、二氧化碳含量的测定。 各杂质组分的检测限：氢：0.02 μmol/mol、氧（氩）：0.01 μmol/mol、氮：0.01μmol/mol、甲烷：0.005 μmol
Determination of impurity content in germane gas for electronics industry - Gas chromatography
本标准规定了电子工业用气体氮技术要求、试验方法及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于以深冷法从空气中提取的气态和液态氮，以及经电化学方法得到的氮。它们在超大规模集成电路制造中用作保护、吹扫、覆盖、加压，化学气相淀积等
Gas for electronic industry.Nitrogen
本标准规定了电子工业用氢的技术要求、试验方法和包装、标志、安全等。 本标准适用于以工业氢为原料经纯化制取的钢瓶装氢气。氢主要被用来提供还原气氛，作为外延工艺的载气以及等离子体蚀刻剂的配气原料。 分子式：H2 相对分子质量：2.016（按1991年国际相对原子质量
Gases for electronic industry--Hydrogen
本标准规定了电子工业用氧的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于以深冷法、电解法提取的气态或液态氧，以及经纯化方法得到的氧。他们主要用于二氧化硅化学气相淀积，用作氧化源和生产高纯水的反应剂，用于等离子体蚀刻和剥离、光导纤维
Gas for electronic industry.Oxygen
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