GB/T 23611-2009 金靶材
本标准规定了金靶材要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及订货单（或合同）内容。 本标准适用于制造半导体电子器件用的各类金溅射靶材（以下简称金靶材
Gold target
XB/T 515-2020 钪铝合金靶材
Scandium aluminum alloy target
YS/T 1129-2016 钨钛合金靶材
Tungsten titanium alloy target
GB/T 23611-2023 金及金合金靶材
Gold and Gold Alloy Targets
GB/T 39159-2020 集成电路用高纯铜合金靶材
本标准规定了集成电路用高纯铜合金靶材(以下简称划材)的分类.技术要求.试验方法、检验规则及标志、`包装、运输,贮存`质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于集成电路制造用的高纯铜铝(CuAl)合金靶材和高纯铜锰(CuMn)合金靶材
High purity copper alloy target for integrated circuit
YS/T 936-2013 集成电路器件用镍钒合金靶材
本标准规定了集成电路器件用镍钒合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同或订货单内容。本标准适用于电子薄膜制造用的各类镍钒合金溅射靶材
Sputtering nickel vanadium alloy target used in integrated circuit device
XB/T 512-2020 镝、铽金属靶材
Dysprosium and terbium metal targets
YS/T 1234-2018 铬钼合金（CrMo）靶材
Chromium Molybdenum Alloy (CrMo) target material
YS/T 1235-2018 钼钛合金（MoTi）靶材
Molybdenum titanium alloy (MoTi) target material
T/CSRE 19001-2020 金属镱靶材
本文件规定了金属镱靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存质量证明书。 本文件适用于真空熔炼法生产的金属镱靶材。主要作为有机发光材料（OLED）金属镀层的蒸发材料
Metal Ytterbium Target
YS/T 1555-2022 铂钴铬硼合金溅射靶材
本文件适用于以高纯钴、铬、铂、硼为原料，经真空熔铸或粉末冶金烧结等工艺制得的钴铬铂硼合金溅射靶材，产品主要用于机械硬盘磁存储介质的磁记录层材料
Platinum cobalt chromium boron alloy sputtering target
YS/T 1357-2020 磁记录用铬钽钛合金溅射靶材
Chromium-tantalum-titanium alloy sputtering target for magnetic recording
YS/T 1358-2020 磁记录用铁钴钽合金溅射靶材
Iron-cobalt-tantalum alloy sputtering target for magnetic recording
GB/T 29658-2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材
本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、存贮、订货单(或合同)等内容。本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材(以下简称铝靶
High-purity sputtering aluminium and aluminium alloy target used in electronic film
YS/T 1025-2015 电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材
本标准规定了电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)等内容。 本标准适用于电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材，以下简称高纯钨及钨合金靶
High-purity tungsten and tungsten alloy sputtering target used in electronic film
GB/T 23611-2009 金靶材
本标准规定了金靶材要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及订货单（或合同）内容。 本标准适用于制造半导体电子器件用的各类金溅射靶材（以下简称金靶材
Gold target
XB/T 515-2020 钪铝合金靶材
Scandium aluminum alloy target
YS/T 1129-2016 钨钛合金靶材
Tungsten titanium alloy target
GB/T 23611-2023 金及金合金靶材
Gold and Gold Alloy Targets
GB/T 39159-2020 集成电路用高纯铜合金靶材
本标准规定了集成电路用高纯铜合金靶材(以下简称划材)的分类.技术要求.试验方法、检验规则及标志、`包装、运输,贮存`质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于集成电路制造用的高纯铜铝(CuAl)合金靶材和高纯铜锰(CuMn)合金靶材
High purity copper alloy target for integrated circuit
YS/T 936-2013 集成电路器件用镍钒合金靶材
本标准规定了集成电路器件用镍钒合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同或订货单内容。本标准适用于电子薄膜制造用的各类镍钒合金溅射靶材
Sputtering nickel vanadium alloy target used in integrated circuit device
XB/T 512-2020 镝、铽金属靶材
Dysprosium and terbium metal targets
YS/T 1234-2018 铬钼合金（CrMo）靶材
Chromium Molybdenum Alloy (CrMo) target material
YS/T 1235-2018 钼钛合金（MoTi）靶材
Molybdenum titanium alloy (MoTi) target material
T/CSRE 19001-2020 金属镱靶材
本文件规定了金属镱靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存质量证明书。 本文件适用于真空熔炼法生产的金属镱靶材。主要作为有机发光材料（OLED）金属镀层的蒸发材料
Metal Ytterbium Target
YS/T 1555-2022 铂钴铬硼合金溅射靶材
本文件适用于以高纯钴、铬、铂、硼为原料，经真空熔铸或粉末冶金烧结等工艺制得的钴铬铂硼合金溅射靶材，产品主要用于机械硬盘磁存储介质的磁记录层材料
Platinum cobalt chromium boron alloy sputtering target
YS/T 1357-2020 磁记录用铬钽钛合金溅射靶材
Chromium-tantalum-titanium alloy sputtering target for magnetic recording
YS/T 1358-2020 磁记录用铁钴钽合金溅射靶材
Iron-cobalt-tantalum alloy sputtering target for magnetic recording
GB/T 29658-2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材
本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、存贮、订货单(或合同)等内容。本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材(以下简称铝靶
High-purity sputtering aluminium and aluminium alloy target used in electronic film
YS/T 1025-2015 电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材
本标准规定了电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)等内容。 本标准适用于电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材，以下简称高纯钨及钨合金靶
High-purity tungsten and tungsten alloy sputtering target used in electronic film
编辑：北检院编辑部
