cdma 1x数字移动通信归属位置寄存器(HLR)检测

ETSI GSM 11.31-1992 欧洲数字蜂窝通信系统(第1阶段).归属位置寄存器规范

European Digital Cellular Telecommunication System (Phase 1); Home Location Register Specification

GSM 11.31-1992 欧洲数字蜂窝电信系统（第一阶段）；归属位置寄存器规范

European Digital Cellular Telecommunication System (Phase 1); Home Location Register Specification

YD/T 1394-2006 GSM/CDMA 1x 双模数字移动台技术要求

本标准规定了GSM/CDMA 1x双模数字移动台的业务和功能、性能、环境适应性、寿命、电池、充电器、待机时间、通话时间、卡接口、电磁兼容、比吸收率（SAR）、外观、包装和装配以及技术文件和售后服务等方面的技术要求。 本标准适用于支持SIM、UIM和SIM/UIM双模卡的GSM

Technical Requirement of GSM/CDMA 1x Dual Mode Digital Mobile Station

YD/T 1395-2009 GSM/CDMA.1X双模数字移动台测试方法

本部分规定了GSM/CDMA 1X双模数字移动台的业务和功能、性能、环境适应性、寿命、电池、充电器、待机时间、通话时间、卡接口、电磁兼容、比吸收率（SAR）以及外观、包装和装配等方面的测试方法。 本标准适用于支持SIM、UIM和SIM/UIM双模卡的GSM/CDMA 1X双模数字移动台，不适用于机

Test Method of GSM/CDMA 1X.Dual Mode Digital Mobile Station

YD/T 1395-2006 GSM/CDMA 1x 双模数字移动台测试方法

本标准规定了GSM/CDMA 1x双模数字移动台的业务和功能、性能、环境适应性、寿命、电池、充电器、待机时间、通话时间、卡接口、电磁兼容、比吸收率（SAR）以及外观、包装和装配等方面的测试方法。 本标准适用于支持SIM、UIM和SIM/UIM双模卡的GSM/CDMA 1x双模数字

Test Method of GSM/CDMA 1x Dual Mode Digital Mobile Station

DLA DSCC-VID-V62/10612-2010 微电路，数字，8 位移位寄存器，带三态输出寄存器，单片硅

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 8-BIT SHIFT REGISTERS WITH 3-STATE OUTPUT REGISTERS, MONOLITHIC SILICON

DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极 TTL、移位寄存器、单片硅

Microcircuits, Digital, Bipolar TTL, Shift Registers, Monolithic Silicon

DLA SMD-5962-86816 REV D-2008 微电路数字高速CMOS8位单片移位寄存器

MICROCIRCUIT, DIGITAL, HIGH SPEED CMOS, 8-BIT SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON

DLA MIL-M-38510/159 B VALID NOTICE 3-2010 微电路、数字、TTL、移位寄存器、单片硅

Microcircuits, Digital, TTL, Shift Registers, Monolithic Silicon

DLA DSCC-VID-V62/04696 REV A-2010 微电路，数字，具有 3 个状态输出寄存器的 8 位移位寄存器，单片硅

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 8 BIT SHIFT REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT REGISTERS, MONOLITHIC SILICON

DLA SMD-5962-94591 REV A-2004 硅单片,8位移位寄存器,ECL数字微型电路

This drawing documents two product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M) and space application (device class

MICROCIRCUIT, DIGITAL, ECL, LOW POWER, 8-BIT SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON

DLA SMD-5962-86817 REV D-2011 微电路，数字，高速 CMOS，8 位移位寄存器，单片硅

MICROCIRCUIT, DIGITAL, HIGH SPEED CMOS, 8-BIT SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON

ETSI GSM 11.32-1992 欧洲数字蜂窝通信系统(第1阶段).来访位置寄存器规范

European Digital Cellular Telecommunication System (Phase 1); Visitor Location Register Specification

TB/T 3381-2021 铁路数字移动通信系统（GSM-R）接口 Gr 接口（SGSN 与 HLR 间）

Railway digital mobile communication system (GSM-R) interface Gr interface (between SGSN and HLR)

DLA MIL-M-38510/665 VALID NOTICE 4-2012 微电路、数字、高速、CMOS、移位寄存器、单片硅

Microcircuits, Digital, High Speed, CMOS, Shift Register, Monolithic Silicon

ETSI GSM 11.31-1992 欧洲数字蜂窝通信系统(第1阶段).归属位置寄存器规范

European Digital Cellular Telecommunication System (Phase 1); Home Location Register Specification

GSM 11.31-1992 欧洲数字蜂窝电信系统（第一阶段）；归属位置寄存器规范

European Digital Cellular Telecommunication System (Phase 1); Home Location Register Specification

YD/T 1394-2006 GSM/CDMA 1x 双模数字移动台技术要求

本标准规定了GSM/CDMA 1x双模数字移动台的业务和功能、性能、环境适应性、寿命、电池、充电器、待机时间、通话时间、卡接口、电磁兼容、比吸收率（SAR）、外观、包装和装配以及技术文件和售后服务等方面的技术要求。 本标准适用于支持SIM、UIM和SIM/UIM双模卡的GSM

Technical Requirement of GSM/CDMA 1x Dual Mode Digital Mobile Station

YD/T 1395-2009 GSM/CDMA.1X双模数字移动台测试方法

本部分规定了GSM/CDMA 1X双模数字移动台的业务和功能、性能、环境适应性、寿命、电池、充电器、待机时间、通话时间、卡接口、电磁兼容、比吸收率（SAR）以及外观、包装和装配等方面的测试方法。 本标准适用于支持SIM、UIM和SIM/UIM双模卡的GSM/CDMA 1X双模数字移动台，不适用于机

Test Method of GSM/CDMA 1X.Dual Mode Digital Mobile Station

YD/T 1395-2006 GSM/CDMA 1x 双模数字移动台测试方法

本标准规定了GSM/CDMA 1x双模数字移动台的业务和功能、性能、环境适应性、寿命、电池、充电器、待机时间、通话时间、卡接口、电磁兼容、比吸收率（SAR）以及外观、包装和装配等方面的测试方法。 本标准适用于支持SIM、UIM和SIM/UIM双模卡的GSM/CDMA 1x双模数字

Test Method of GSM/CDMA 1x Dual Mode Digital Mobile Station

DLA DSCC-VID-V62/10612-2010 微电路，数字，8 位移位寄存器，带三态输出寄存器，单片硅

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 8-BIT SHIFT REGISTERS WITH 3-STATE OUTPUT REGISTERS, MONOLITHIC SILICON

DLA MIL-M-38510/9 E VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极 TTL、移位寄存器、单片硅

Microcircuits, Digital, Bipolar TTL, Shift Registers, Monolithic Silicon

DLA SMD-5962-86816 REV D-2008 微电路数字高速CMOS8位单片移位寄存器

MICROCIRCUIT, DIGITAL, HIGH SPEED CMOS, 8-BIT SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON

DLA MIL-M-38510/159 B VALID NOTICE 3-2010 微电路、数字、TTL、移位寄存器、单片硅

Microcircuits, Digital, TTL, Shift Registers, Monolithic Silicon

DLA DSCC-VID-V62/04696 REV A-2010 微电路，数字，具有 3 个状态输出寄存器的 8 位移位寄存器，单片硅

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 8 BIT SHIFT REGISTER WITH 3 STATE OUTPUT REGISTERS, MONOLITHIC SILICON

DLA SMD-5962-94591 REV A-2004 硅单片,8位移位寄存器,ECL数字微型电路

This drawing documents two product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M) and space application (device class

MICROCIRCUIT, DIGITAL, ECL, LOW POWER, 8-BIT SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON

DLA SMD-5962-86817 REV D-2011 微电路，数字，高速 CMOS，8 位移位寄存器，单片硅

MICROCIRCUIT, DIGITAL, HIGH SPEED CMOS, 8-BIT SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON

ETSI GSM 11.32-1992 欧洲数字蜂窝通信系统(第1阶段).来访位置寄存器规范

European Digital Cellular Telecommunication System (Phase 1); Visitor Location Register Specification

TB/T 3381-2021 铁路数字移动通信系统（GSM-R）接口 Gr 接口（SGSN 与 HLR 间）

Railway digital mobile communication system (GSM-R) interface Gr interface (between SGSN and HLR)

DLA MIL-M-38510/665 VALID NOTICE 4-2012 微电路、数字、高速、CMOS、移位寄存器、单片硅

Microcircuits, Digital, High Speed, CMOS, Shift Register, Monolithic Silicon