半导体设备保护熔断器检测

IEC 60269-4:2012 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断器补充要求

Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

JUS N.E5.240-1991 低压熔断器．保护半导体设备的熔断器的补充要求

Low-voltage fuses. Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

DS/EN 60269-4:2010 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

IEC 60269-4:2009 is to be used in conjunction with IEC 60269-1. This Part 4 supplements or modifies the corresonding clauses or subclauses of Part 1

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DS/EN 60269-4/A1:2012 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

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UNE-EN 60269-4:2011/A2:2017 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

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EN 60269-4:2009/A2:2016 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

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NF C60-200-4/A2*NF EN 60269-4/A2:2017 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

Low-voltage fuses - Part 4 : Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

EN 60269-4:2009 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

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EN 60269-4:2007 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

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UNE-EN 60269-4:2011/A1:2013 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

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GB/T 13539.4-2005 低压熔断器 第4部分;半导体设备保护用熔断体的补充要求

本部分的补充要求用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，熔断体的额定电压不超过交流1 000V或标称电压不超过1 500 V。如果适应还可用于更高电压的电路。 注1：这种熔断器通称半导体熔断体。 注2：在多种情况下，组合设备的一部分可以用作熔断器底座，应由用户和制造商

Low-voltage fuses Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

DIN EN 60269-4:2017 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求（IEC 60269-4:2009 + A1:2012 + A2:2016）；德文版 EN 60269-4:2009 + A1:2012 + A2:2016

Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices (IEC 60269-4:2009 + A1:2012 + A2:2016); German version EN 60269-4:2009 + A1:2012 + A2:2016

GB/T 13539.4-2009 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

除GB 13539. 1-2008规定外，补充下列要求。 半导体设备保护用的熔断体应符合GB 13539. 1-2008的所有要求，下文中没有另外指明的，也应符合本部分规定的补充要求。 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或

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TIS 2114-2002 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low.voltage fuses.part 4: supplementary requirements for fuse.links for the protection of semiconductor devices

GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。 本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此

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IEC 60269-4:2012 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断器补充要求

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JUS N.E5.240-1991 低压熔断器．保护半导体设备的熔断器的补充要求

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DS/EN 60269-4:2010 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

IEC 60269-4:2009 is to be used in conjunction with IEC 60269-1. This Part 4 supplements or modifies the corresonding clauses or subclauses of Part 1

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DS/EN 60269-4/A1:2012 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

IEC 60269-4:2009 is to be used in conjunction with IEC 60269-1. This Part 4 supplements or modifies the corresonding clauses or subclauses of Part 1

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UNE-EN 60269-4:2011/A2:2017 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

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EN 60269-4:2009/A2:2016 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

IEC 60269-4:2009 is to be used in conjunction with IEC 60269-1. This Part 4 supplements or modifies the corresonding clauses or subclauses of Part 1

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NF C60-200-4/A2*NF EN 60269-4/A2:2017 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

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EN 60269-4:2009 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

IEC 60269-4:2009 is to be used in conjunction with IEC 60269-1. This Part 4 supplements or modifies the corresonding clauses or subclauses of Part 1

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EN 60269-4:2007 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

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UNE-EN 60269-4:2011/A1:2013 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求

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GB/T 13539.4-2005 低压熔断器 第4部分;半导体设备保护用熔断体的补充要求

本部分的补充要求用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，熔断体的额定电压不超过交流1 000V或标称电压不超过1 500 V。如果适应还可用于更高电压的电路。 注1：这种熔断器通称半导体熔断体。 注2：在多种情况下，组合设备的一部分可以用作熔断器底座，应由用户和制造商

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DIN EN 60269-4:2017 低压熔断器 第4部分：用于保护半导体设备的熔断器的补充要求（IEC 60269-4:2009 + A1:2012 + A2:2016）；德文版 EN 60269-4:2009 + A1:2012 + A2:2016

Low-voltage fuses - Part 4: Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices (IEC 60269-4:2009 + A1:2012 + A2:2016); German version EN 60269-4:2009 + A1:2012 + A2:2016

GB/T 13539.4-2009 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

除GB 13539. 1-2008规定外，补充下列要求。 半导体设备保护用的熔断体应符合GB 13539. 1-2008的所有要求，下文中没有另外指明的，也应符合本部分规定的补充要求。 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或

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TIS 2114-2002 低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

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GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1 000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。 本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此

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