YS/T 893-2013 电子薄膜用高纯钛溅射靶材
本标准规定了电子薄膜用高纯钛溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明与合同(订单)等内容。本标准适用于电子薄膜制造用的各类钛溅射靶材
High-purity sputtering titanium target used in electronic film
YS/T 819-2012 电子薄膜用高纯铜溅射靶材
本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同（或订货单）内容。 本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材（以下简称高纯铜靶
High-purity sputtering copper target used in electronic film
YS/T 719-2009 平面磁控溅射靶材.光学薄膜用硅靶
本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、订货单(合同)内容。 本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材
Flat magneting sputtering target.Silicon target for optical coating
YS/T 718-2009 平面磁控溅射靶材.光学薄膜用铌靶
本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用铌靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、订货单(合同)内容。 本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用铌靶材
Flat magneting sputtering target.Niobium target for optical coating
GB/T 29658-2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材
本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、存贮、订货单(或合同)等内容。本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材(以下简称铝靶
High-purity sputtering aluminium and aluminium alloy target used in electronic film
YS/T 1025-2015 电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材
本标准规定了电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)等内容。 本标准适用于电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材，以下简称高纯钨及钨合金靶
High-purity tungsten and tungsten alloy sputtering target used in electronic film
ASTM F136-98e1 薄膜设备用铬溅射极的标准规范
1.1 This specification covers the chemical, mechanical, and metallurgical requirements for wrought annealed Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI
Standard Specification for Wrought Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy (UNS R56401) for Surgical Implant Applications
ASTM F136-08 薄膜设备用铬溅射极的标准规范
1.1 This specification covers the chemical, mechanical, and metallurgical requirements for wrought annealed
Standard Specification for Wrought Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy for Surgical Implant Applications (UNS R56401)
ASTM F136-13(2021)e1 薄膜设备用铬溅射极的标准规范
1.1本规范涵盖了外科植入物制造中使用的锻造退火钛-6铝-4钒ELI（超低间隙）合金（R56401）的化学、机械和冶金要求。 1.2以英寸磅为单位的数值应视为标准。括号中给出的值是国际单位制的数学转换，仅供参考，不被视为标准。 1.3本国际标准是根据国际公认的标准化原则制定的《关于制定国际标准
Standard Specification for Wrought Titanium-6Aluminum-4Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy for Surgical Implant Applications (UNS R56401)
ASTM F1367-98(2011 薄膜设备用铬溅射极的标准规范
1.1 This specification covers sputtering targets fabricated from chromium metal.
1.2 This specification sets purity
Standard Specification for Chromium Sputtering Targets for Thin Film Applications
T/ZZB 1790-2020 铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备
本文件规定了铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备的术语和定义、结构与使用环境、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存及质量承诺。 本文件适用于铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备（以下简称“设备
Sputter equipment for Cu-In-Ga-Se thin film solar cells
ASTM F1709-97 电子薄膜用高纯钛溅射靶的标准规范
1.1 This specification covers pure titanium sputtering targets used as a raw material in fabricating semiconductor electronic devices.
1.2
Standard Specification for High Purity Titanium Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
ASTM F1709-97(2016 电子薄膜用高纯钛溅射靶的标准规范
1.1 This specification covers pure titanium sputtering targets used as a raw material in fabricating semiconductor electronic devices. 1.2
Standard Specification for High Purity Titanium Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
GJB 3032-1997 溅射二硫化钼基自润滑固体薄膜规范
Specification for sputtered molybdenum disulfide-based self-lubricating solid films
JB/T 8945-1999 真空溅射镀膜设备
本标准规定了真空溅射镀膜设备的型号和基本参数，技术要求，试验方法，榆验规则，标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于压力在1×10^(-4)～5×10^(-3)Pa范围的真空贱射镀膜设备
Vacuum sputtering coating plant
YS/T 893-2013 电子薄膜用高纯钛溅射靶材
本标准规定了电子薄膜用高纯钛溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明与合同(订单)等内容。本标准适用于电子薄膜制造用的各类钛溅射靶材
High-purity sputtering titanium target used in electronic film
YS/T 819-2012 电子薄膜用高纯铜溅射靶材
本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同（或订货单）内容。 本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材（以下简称高纯铜靶
High-purity sputtering copper target used in electronic film
YS/T 719-2009 平面磁控溅射靶材.光学薄膜用硅靶
本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、订货单(合同)内容。 本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材
Flat magneting sputtering target.Silicon target for optical coating
YS/T 718-2009 平面磁控溅射靶材.光学薄膜用铌靶
本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用铌靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、订货单(合同)内容。 本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用铌靶材
Flat magneting sputtering target.Niobium target for optical coating
GB/T 29658-2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材
本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、存贮、订货单(或合同)等内容。本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材(以下简称铝靶
High-purity sputtering aluminium and aluminium alloy target used in electronic film
YS/T 1025-2015 电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材
本标准规定了电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)等内容。 本标准适用于电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材，以下简称高纯钨及钨合金靶
High-purity tungsten and tungsten alloy sputtering target used in electronic film
ASTM F136-98e1 薄膜设备用铬溅射极的标准规范
1.1 This specification covers the chemical, mechanical, and metallurgical requirements for wrought annealed Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI
Standard Specification for Wrought Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy (UNS R56401) for Surgical Implant Applications
ASTM F136-08 薄膜设备用铬溅射极的标准规范
1.1 This specification covers the chemical, mechanical, and metallurgical requirements for wrought annealed
Standard Specification for Wrought Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy for Surgical Implant Applications (UNS R56401)
ASTM F136-13(2021)e1 薄膜设备用铬溅射极的标准规范
1.1本规范涵盖了外科植入物制造中使用的锻造退火钛-6铝-4钒ELI（超低间隙）合金（R56401）的化学、机械和冶金要求。 1.2以英寸磅为单位的数值应视为标准。括号中给出的值是国际单位制的数学转换，仅供参考，不被视为标准。 1.3本国际标准是根据国际公认的标准化原则制定的《关于制定国际标准
Standard Specification for Wrought Titanium-6Aluminum-4Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy for Surgical Implant Applications (UNS R56401)
ASTM F1367-98(2011 薄膜设备用铬溅射极的标准规范
1.1 This specification covers sputtering targets fabricated from chromium metal.
1.2 This specification sets purity
Standard Specification for Chromium Sputtering Targets for Thin Film Applications
T/ZZB 1790-2020 铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备
本文件规定了铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备的术语和定义、结构与使用环境、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存及质量承诺。 本文件适用于铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备（以下简称“设备
Sputter equipment for Cu-In-Ga-Se thin film solar cells
ASTM F1709-97 电子薄膜用高纯钛溅射靶的标准规范
1.1 This specification covers pure titanium sputtering targets used as a raw material in fabricating semiconductor electronic devices.
1.2
Standard Specification for High Purity Titanium Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
ASTM F1709-97(2016 电子薄膜用高纯钛溅射靶的标准规范
1.1 This specification covers pure titanium sputtering targets used as a raw material in fabricating semiconductor electronic devices. 1.2
Standard Specification for High Purity Titanium Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
GJB 3032-1997 溅射二硫化钼基自润滑固体薄膜规范
Specification for sputtered molybdenum disulfide-based self-lubricating solid films
JB/T 8945-1999 真空溅射镀膜设备
本标准规定了真空溅射镀膜设备的型号和基本参数，技术要求，试验方法，榆验规则，标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于压力在1×10^(-4)～5×10^(-3)Pa范围的真空贱射镀膜设备
Vacuum sputtering coating plant
编辑：北检院编辑部
