发布时间：2024-05-27 17:49:26 - 更新时间：2024年06月29日 15:22
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本标准规定了电子薄膜用高纯钛溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明与合同(订单)等内容。本标准适用于电子薄膜制造用的各类钛溅射靶材
High-purity sputtering titanium target used in electronic film
本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同（或订货单）内容。 本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材（以下简称高纯铜靶
High-purity sputtering copper target used in electronic film
本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、订货单(合同)内容。 本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材
Flat magneting sputtering target.Silicon target for optical coating
本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用铌靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、订货单(合同)内容。 本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用铌靶材
Flat magneting sputtering target.Niobium target for optical coating
本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、存贮、订货单(或合同)等内容。本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材(以下简称铝靶
High-purity sputtering aluminium and aluminium alloy target used in electronic film
本标准规定了电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)等内容。 本标准适用于电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材，以下简称高纯钨及钨合金靶
High-purity tungsten and tungsten alloy sputtering target used in electronic film
1.1 This specification covers the chemical, mechanical, and metallurgical requirements for wrought annealed Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI
Standard Specification for Wrought Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy (UNS R56401) for Surgical Implant Applications
1.1 This specification covers the chemical, mechanical, and metallurgical requirements for wrought annealed
Standard Specification for Wrought Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy for Surgical Implant Applications (UNS R56401)
1.1本规范涵盖了外科植入物制造中使用的锻造退火钛-6铝-4钒ELI（超低间隙）合金（R56401）的化学、机械和冶金要求。 1.2以英寸磅为单位的数值应视为标准。括号中给出的值是国际单位制的数学转换，仅供参考，不被视为标准。 1.3本国际标准是根据国际公认的标准化原则制定的《关于制定国际标准
Standard Specification for Wrought Titanium-6Aluminum-4Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy for Surgical Implant Applications (UNS R56401)
1.1 This specification covers sputtering targets fabricated from chromium metal.
1.2 This specification sets purity
Standard Specification for Chromium Sputtering Targets for Thin Film Applications
本文件规定了铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备的术语和定义、结构与使用环境、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存及质量承诺。 本文件适用于铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备（以下简称“设备
Sputter equipment for Cu-In-Ga-Se thin film solar cells
1.1 This specification covers pure titanium sputtering targets used as a raw material in fabricating semiconductor electronic devices.
1.2
Standard Specification for High Purity Titanium Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
1.1 This specification covers pure titanium sputtering targets used as a raw material in fabricating semiconductor electronic devices. 1.2
Standard Specification for High Purity Titanium Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
Specification for sputtered molybdenum disulfide-based self-lubricating solid films
本标准规定了真空溅射镀膜设备的型号和基本参数，技术要求，试验方法，榆验规则，标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于压力在1×10^(-4)～5×10^(-3)Pa范围的真空贱射镀膜设备
Vacuum sputtering coating plant
本标准规定了电子薄膜用高纯钛溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明与合同(订单)等内容。本标准适用于电子薄膜制造用的各类钛溅射靶材
High-purity sputtering titanium target used in electronic film
本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及合同（或订货单）内容。 本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材（以下简称高纯铜靶
High-purity sputtering copper target used in electronic film
本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、订货单(合同)内容。 本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材
Flat magneting sputtering target.Silicon target for optical coating
本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用铌靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、订货单(合同)内容。 本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用铌靶材
Flat magneting sputtering target.Niobium target for optical coating
本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、存贮、订货单(或合同)等内容。本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材(以下简称铝靶
High-purity sputtering aluminium and aluminium alloy target used in electronic film
本标准规定了电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)等内容。 本标准适用于电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材，以下简称高纯钨及钨合金靶
High-purity tungsten and tungsten alloy sputtering target used in electronic film
1.1 This specification covers the chemical, mechanical, and metallurgical requirements for wrought annealed Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI
Standard Specification for Wrought Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy (UNS R56401) for Surgical Implant Applications
1.1 This specification covers the chemical, mechanical, and metallurgical requirements for wrought annealed
Standard Specification for Wrought Titanium-6 Aluminum-4 Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy for Surgical Implant Applications (UNS R56401)
1.1本规范涵盖了外科植入物制造中使用的锻造退火钛-6铝-4钒ELI（超低间隙）合金（R56401）的化学、机械和冶金要求。 1.2以英寸磅为单位的数值应视为标准。括号中给出的值是国际单位制的数学转换，仅供参考，不被视为标准。 1.3本国际标准是根据国际公认的标准化原则制定的《关于制定国际标准
Standard Specification for Wrought Titanium-6Aluminum-4Vanadium ELI (Extra Low Interstitial) Alloy for Surgical Implant Applications (UNS R56401)
1.1 This specification covers sputtering targets fabricated from chromium metal.
1.2 This specification sets purity
Standard Specification for Chromium Sputtering Targets for Thin Film Applications
本文件规定了铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备的术语和定义、结构与使用环境、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存及质量承诺。 本文件适用于铜铟镓硒太阳能电池薄膜溅射沉积设备（以下简称“设备
Sputter equipment for Cu-In-Ga-Se thin film solar cells
1.1 This specification covers pure titanium sputtering targets used as a raw material in fabricating semiconductor electronic devices.
1.2
Standard Specification for High Purity Titanium Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
1.1 This specification covers pure titanium sputtering targets used as a raw material in fabricating semiconductor electronic devices. 1.2
Standard Specification for High Purity Titanium Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
Specification for sputtered molybdenum disulfide-based self-lubricating solid films
本标准规定了真空溅射镀膜设备的型号和基本参数，技术要求，试验方法，榆验规则，标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于压力在1×10^(-4)～5×10^(-3)Pa范围的真空贱射镀膜设备
Vacuum sputtering coating plant
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