CSN 35 1530-1979 功率半导体转换器
Zpracovatel: ?KD Praha, o. p., závod Elektrotechnika — Ing. M. ?tvrtní?ek Pracovník TJ?adu pro normalizaci a mě?ení: Ing. Ivana Kuhnov
Power semiconductor converters
CSN 35 1540-1979 功率半导体转换器测试
Zpracovatel: ?KD Praha, o. p., závod Elektrotechnika — Ing. M. ?tvrtní?ek Pracovník ??adu pro normalizaci a mě?ení: Ing. I. Kuhnov
Tests of power semiconductor converters
CSN 35 1560-1969 功率半导体器件．整流器
Zpracovatel: Elektrop?ístroj Mod?any — Ji?í ?palek Pracovník ??adu pro normalizaci a mě?ení: Ing. Josef Chvátal
Power semiconductor Rectifiers
JEC 2407-2007 绝缘型功率半导体模块
INSULATED TYPE POWER SEMICONDUCTOR MODULES
CSN 34 5175-1979 功率半导体器件变换器术语
Zpracovatel normy: ?KD Praha, o. p., závod Elektrotechnika- — Ing. Jaroslav Mendl Spolupracoval: V?zkumn? ústav silnoproudé elektrotechniky, B
Terminology of power semiconductor convenors
MSZ 7200/5-1985 大功率半导体工具的测量方法
T/QGCML 2041-2023 878 nm高功率半导体激光器芯片
本文件规定了878 nm高功率半导体激光器芯片的术语和定义、技术要求、检验规则、包装、注意事项、贮存与运输要求。 本文件适用于878 nm高功率半导体激光器芯片生产及检验
878 nm high power semiconductor laser chip
SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品的技术要求、检验规则和检验方法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定
Technical specification for power light-emitting diode chips
BS EN 60747-15:2004 半导体分立器件.绝缘的功率半导体器件
This part of IEC 60747 gives the product specific standards, requirements and test methods for isolated power semiconductor devices
Discrete semiconductor devices. Isolated power semiconductor devices
MSZ 7200/3-1984 大功率半导体工具．轮廓和连接尺寸
T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
高温高湿反偏测试是考核器件在高温高湿偏压条件下的耐久性的一项可靠性试验，其主要的失效机理为与湿度相关的腐蚀、电化学效应引起的阻断能力下降、漏电升高。通常情况下，该项测试采用的阻断电压较低，如 AEC-Q101中规定偏置电压不超过100V。采用较低偏置电压的原因在于行业内普遍认为，阻断电压过
High Voltage Bias Steady-state Temperature Humidity Test for Power Semiconductor Devices
GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片
Technical specification for power light-emitting diode chips
MSZ 7200/2-1984 大功率半导体的一般工艺要求和检测
SJ 20957-2006 大功率半导体激光二级管阵列通用规范
本规范规定了军用裸封装的大功率半导体激光二极管陈列（以下简称陈列或产品）生产和交付的通用要求，以及必须满足的质量和可靠性保证要求
General specification for large power semiconductor laser diode array
BS EN 60747-15:2012 半导体设备.分立器件.绝缘的功率半导体器件
Semiconductor devices. Discrete devices. Isolated power semiconductor devices
CSN 35 1530-1979 功率半导体转换器
Zpracovatel: ?KD Praha, o. p., závod Elektrotechnika — Ing. M. ?tvrtní?ek Pracovník TJ?adu pro normalizaci a mě?ení: Ing. Ivana Kuhnov
Power semiconductor converters
CSN 35 1540-1979 功率半导体转换器测试
Zpracovatel: ?KD Praha, o. p., závod Elektrotechnika — Ing. M. ?tvrtní?ek Pracovník ??adu pro normalizaci a mě?ení: Ing. I. Kuhnov
Tests of power semiconductor converters
CSN 35 1560-1969 功率半导体器件．整流器
Zpracovatel: Elektrop?ístroj Mod?any — Ji?í ?palek Pracovník ??adu pro normalizaci a mě?ení: Ing. Josef Chvátal
Power semiconductor Rectifiers
JEC 2407-2007 绝缘型功率半导体模块
INSULATED TYPE POWER SEMICONDUCTOR MODULES
CSN 34 5175-1979 功率半导体器件变换器术语
Zpracovatel normy: ?KD Praha, o. p., závod Elektrotechnika- — Ing. Jaroslav Mendl Spolupracoval: V?zkumn? ústav silnoproudé elektrotechniky, B
Terminology of power semiconductor convenors
MSZ 7200/5-1985 大功率半导体工具的测量方法
T/QGCML 2041-2023 878 nm高功率半导体激光器芯片
本文件规定了878 nm高功率半导体激光器芯片的术语和定义、技术要求、检验规则、包装、注意事项、贮存与运输要求。 本文件适用于878 nm高功率半导体激光器芯片生产及检验
878 nm high power semiconductor laser chip
SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品的技术要求、检验规则和检验方法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定
Technical specification for power light-emitting diode chips
BS EN 60747-15:2004 半导体分立器件.绝缘的功率半导体器件
This part of IEC 60747 gives the product specific standards, requirements and test methods for isolated power semiconductor devices
Discrete semiconductor devices. Isolated power semiconductor devices
MSZ 7200/3-1984 大功率半导体工具．轮廓和连接尺寸
T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
高温高湿反偏测试是考核器件在高温高湿偏压条件下的耐久性的一项可靠性试验，其主要的失效机理为与湿度相关的腐蚀、电化学效应引起的阻断能力下降、漏电升高。通常情况下，该项测试采用的阻断电压较低，如 AEC-Q101中规定偏置电压不超过100V。采用较低偏置电压的原因在于行业内普遍认为，阻断电压过
High Voltage Bias Steady-state Temperature Humidity Test for Power Semiconductor Devices
GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片
Technical specification for power light-emitting diode chips
MSZ 7200/2-1984 大功率半导体的一般工艺要求和检测
SJ 20957-2006 大功率半导体激光二级管阵列通用规范
本规范规定了军用裸封装的大功率半导体激光二极管陈列（以下简称陈列或产品）生产和交付的通用要求，以及必须满足的质量和可靠性保证要求
General specification for large power semiconductor laser diode array
BS EN 60747-15:2012 半导体设备.分立器件.绝缘的功率半导体器件
Semiconductor devices. Discrete devices. Isolated power semiconductor devices
编辑：北检院编辑部
