半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)检测

EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的

Power cycling test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）

T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进

Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）

BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试

1   Scope This part of IEC 62373 provides the measurement procedure for a fast BTI (bias temperature instability) test

Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Fast BTI test for MOSFET

T/CASAS 007-2020 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范

随着电动汽车行业的迅猛发展，对驱动系统的小型化和轻量化提出了更高的要求。基于SiC的解决方案使电动汽车驱动系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑，近几年已经逐渐在电动汽车行业得到应用。然而，目前国内外尚针对SiC功率模块的规范和标准，缺少电动汽车行业SiC MOSFET模块的统一指导性文件

Test Specification for Silicon Carbide（SiC）Field-effect Transistors（MOSFET）Module of Electric Vehicles

UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (Endorsed by AENOR in September of 2010.)

DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (IEC 62417:2010); German version EN 62417:2010

DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试

IEC 62417:2010 provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试

Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET)

DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

This International Standard provides a test procedure for a bias-temperature (BT) stability test of metal-oxide semiconductor, field-effect

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006); German version EN 62373:2006

BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

This International Standard provides a test procedure for a bias-temperature (BT) stability test of metal-oxide semiconductor, field-effect

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)

IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验

Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET

UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Endorsed by AENOR in November of 2006.)

DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006); German version EN 62373:2006

NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)

EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的

Power cycling test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）

T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进

Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）

BS IEC 62373-1:2020 半导体器件 金属氧化物、半导体、场效应晶体管 (MOSFET) 的偏置温度稳定性测试 MOSFET 的快速 BTI 测试

1   Scope This part of IEC 62373 provides the measurement procedure for a fast BTI (bias temperature instability) test

Semiconductor devices. Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Fast BTI test for MOSFET

T/CASAS 007-2020 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范

随着电动汽车行业的迅猛发展，对驱动系统的小型化和轻量化提出了更高的要求。基于SiC的解决方案使电动汽车驱动系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑，近几年已经逐渐在电动汽车行业得到应用。然而，目前国内外尚针对SiC功率模块的规范和标准，缺少电动汽车行业SiC MOSFET模块的统一指导性文件

Test Specification for Silicon Carbide（SiC）Field-effect Transistors（MOSFET）Module of Electric Vehicles

UNE-EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (Endorsed by AENOR in September of 2010.)

DIN EN 62417:2010-12 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (IEC 62417:2010); German version EN 62417:2010

DS/EN 62417:2010 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的移动离子测试

IEC 62417:2010 provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

NF EN 62417:2010 半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的移动离子测试

Dispositifs à semiconducteurs - Essais d'ions mobiles pour transistors à semiconducteur à oxyde métallique à effet de champ (MOSFET)

DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

This International Standard provides a test procedure for a bias-temperature (BT) stability test of metal-oxide semiconductor, field-effect

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006); German version EN 62373:2006

BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

This International Standard provides a test procedure for a bias-temperature (BT) stability test of metal-oxide semiconductor, field-effect

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)

IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验

Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET

UNE-EN 62373:2006 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Endorsed by AENOR in November of 2006.)

DIN EN 62373:2007-01 金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006); German version EN 62373:2006

NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)