发布时间：2024-05-27 17:49:26 - 更新时间：2024年06月29日 15:22
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本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。 2 方法提要
Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
Test method for flatness of silicon carbide single wafer
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。 本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定
Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers.Chemically etching
SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚的优势，特别在高温、高频、强磁场、抗辐射等方面显示出独特的优势。 高纯半绝缘SiC衬底在通信领域有大量应用，同时，高纯半
The measurement method of resistivity for semi-insulating silicon carbide substrate
碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡量碳化硅单晶片质量好坏的关键参数之一， 关于导电碳化硅单晶片电阻率非接触涡流测试方法，国内都没有统一的标准，也没有
Test methods for measuring resistivity of conductive silicon carbide wafers with a noncontact eddy-current gauge
本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下： 本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、 规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素
X-ray double crystal rocking curve FWHM test method for silicon carbide single wafer
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
Silicon carbide single crystal polished wafer
本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准规定了碳化硅
6 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers
本规范规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、牌号、要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。本规范适用于晶型为6H和4H,单面或双面抛光,直径100 mm及以下的碳化硅单晶抛光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照使用
Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的损检测方法。本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量
Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
随着科技的发展和进步，第三代半导体材料碳化硅（SiC）取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件，并逐步展现出巨大的潜力。随着SiC单晶和外延技术的进步，碳化硅器件将逐步展现出其性能和降低
Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
本标准规定了碳化硅单晶抛光片(以下简称“抛光片”)表面质量的目视检验方法。本标准适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测
Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide
本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法,包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。本标准适用于碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试。其中,原子力显微镜法仅适用于经过化学机械抛光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在零点几纳米至几微米范围内的碳化硅单晶抛光片
Test methods for measuring surface roughness of polished monocrystalline silicon carbide wafers
本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。 2 方法提要
Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
Test method for flatness of silicon carbide single wafer
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。 本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定
Test method for measuring micropipe density of monocrystalline silicon carbide wafers.Chemically etching
SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚的优势，特别在高温、高频、强磁场、抗辐射等方面显示出独特的优势。 高纯半绝缘SiC衬底在通信领域有大量应用，同时，高纯半
The measurement method of resistivity for semi-insulating silicon carbide substrate
碳化硅作为第三代半导体，在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用，其技术发展的成熟度越来越高，从原材料到功能模块，已经形成了完整的产业链。碳化硅单晶电阻率的测试，是衡量碳化硅单晶片质量好坏的关键参数之一， 关于导电碳化硅单晶片电阻率非接触涡流测试方法，国内都没有统一的标准，也没有
Test methods for measuring resistivity of conductive silicon carbide wafers with a noncontact eddy-current gauge
本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下： 本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、 规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素
X-ray double crystal rocking curve FWHM test method for silicon carbide single wafer
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
Silicon carbide single crystal polished wafer
本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准规定了碳化硅
6 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers
本规范规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、牌号、要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。本规范适用于晶型为6H和4H,单面或双面抛光,直径100 mm及以下的碳化硅单晶抛光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照使用
Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的损检测方法。本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量
Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
随着科技的发展和进步，第三代半导体材料碳化硅（SiC）取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件，并逐步展现出巨大的潜力。随着SiC单晶和外延技术的进步，碳化硅器件将逐步展现出其性能和降低
Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
本标准规定了碳化硅单晶抛光片(以下简称“抛光片”)表面质量的目视检验方法。本标准适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测
Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide
本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法,包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。本标准适用于碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试。其中,原子力显微镜法仅适用于经过化学机械抛光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在零点几纳米至几微米范围内的碳化硅单晶抛光片
Test methods for measuring surface roughness of polished monocrystalline silicon carbide wafers
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