发布时间:2024-05-27 17:49:26 - 更新时间:2024年06月29日 15:22
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超高纯钨丝以WU加状态符号表示。超高纯钨丝牌号、成分、纯度和状态应符合表1的规定。 超高纯钨丝的化学成分应符合表2的规定。 钨丝直径及其允许的偏差应符合表3的规定。 超高纯钨丝经过处理后,对Φ0.81mm的钨丝进行金相组织结构检查,其结构应呈现丝状,且均 匀,达到图1、图2的要求。 超高纯
Ultra high purity tungsten wire
靶材用超高纯钨板的化学成分 靶材用超高纯钨板的尺寸及允许偏差应符合供需双方签订的技术图纸要求,未注公差的产品, 应符合GB/T 1804-2000第5章表1、表2、表3中f(精密度)偏差的要求。 靶材用超高纯钨板的晶粒尺寸应符合表2的要求,并且晶粒大小分布均匀。 靶材用超高纯钨板
Ultra high purity tungsten plate for target
本标准规定了电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)等内容。 本标准适用于电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材,以下简称高纯钨及钨合金靶
High-purity tungsten and tungsten alloy sputtering target used in electronic film
高纯度钨部件牌号以W加G再加阿拉伯数字表示,其中阿拉伯数字表示化学成分分级。产品按化 学成分分为WG1、 WG2和WG3三个牌号。 牌号的成分、纯度和状态符合表1的规定。 高纯度钨部件化学成分应符合表2的规定。 高纯度钨部件的尺寸、规格及结构方式一般根据需方提供的图纸确定,经
High purity tungsten parts
本标准规定了高纯钨中痕量元素含量的测定方法,测定元素见表1。本标准适用于高纯钨中痕量元素含量的测定。各元素测定范围为1 μg/kg~5 000 μg/kg
Methods for chemical analysis of high purity tungsten.Determination of trace impurity element content.Glow discharge mass spectrometry
本标准规定了高纯钨中锂、铍、硼、铬、钛、钒、锰、铁、钴、镍、铜、镓、砷、锶、锆、钽、铌、钼、镉、锑、铪、铅和铋量的测定方法。本标准适用于高纯钨中痕量杂质的测定,测定范围:0.000 1%~0.010
Methods for chemical analysis of the high purity tungsten.Determination of trace impurity element content.Inductively coupled plasma mass spectrometry
本标准规定了纯氮、高纯氮和超纯氮产品的技术要求、检验方法以及包装、标志、贮运、安全警示等。 本标准适用于空气分离或经净化得到的气态或液态的纯氮、高纯氮和超纯氮,主要用作保护气、置换气、反应气等。 分子式:N2 相对分子质量:28.0134(按2005年相对原子质量
Pure nitrogen and high purity nitrogen and ultra pure nitrogen
本标准规定了气态氦和液态氦的技术要求、检验规则、检验方法、产品的包装、标志、储存及安全警示等。 本标准适用于以深冷法提取的纯氦、高纯氦和超纯氦,主要用于光导纤维、激光、焊接切割、潜水呼吸、低温超导、增压、清洗、保护气等。 分子式:He. 相对分子质量:4.002 602(按2007年国际相对
Pure helium,high pure helium and ultra pure helium
本标准规定了纯氢、高纯氢、超纯氢的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮存及运输和安全要求。 本标准适用于以工业氢为原料经吸附法、扩散法以及其他方法净化制取的瓶装或管道输送的氢气, 主要用于电子工业、石油化工、金属冶炼、国防尖端技术和科学研究等部门
Pure hydrogen, high pruity hydrogen and ultra pure hydrogen
本标准规定了纯氖和高纯氖的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮运及安全警示等。本标准适用于以深冷法提取的纯氖和高纯氖,主要用于霓虹灯及作为电子工业的填充介质,也用于激光技术、高能物理、混合气配制。分子式:Ne。相对分子质量:20.1797(按2009年国际相对原子质量
Pure neon and high purity neon
本标准规定了纯氧、高纯氧和超纯氧的技术要求、检验方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存等。 本标准适用于空气分离制取的和水电解制取的高纯度气态和液态氧,主要用于标准混合气的制备、科学研究、集成电路和半导体器件的生产以及其他对氧气纯度要求较高的领域
Pure oxygen and high purity oxygen and ultra pure oxygen
本标准规定了高纯锌的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容。本标准适用于以99.995%、99.99%的锌为原料,用真空蒸馏法工艺而生产的高纯锌。高纯锌产品主要应用于制备半导体化合物、红外发光材料、高级合金等。高纯锌粒与高纯锌粉可用作化学试剂等
High purity zinc
本标准规定了高纯铟的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容等。 本标准适用于以工业粗铟为原料,经原料处理及电解精炼等工艺制得的高纯铟。产品供制作化合物半导体、高纯合金、高级轴承及半导体材料的掺杂剂等
High purity indium
High purity nickel
本标准规定了高纯碲的要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容。 本标准适用于高纯碲,该产品主要用于红外探测器、红外激光器、碲化物光纤、太阳能电池、γ射线探测器、欧姆接触器、半导体致冷元件、复印机感光元件、垂直磁记录材料等领域
High purity tellurium
超高纯钨丝以WU加状态符号表示。超高纯钨丝牌号、成分、纯度和状态应符合表1的规定。 超高纯钨丝的化学成分应符合表2的规定。 钨丝直径及其允许的偏差应符合表3的规定。 超高纯钨丝经过处理后,对Φ0.81mm的钨丝进行金相组织结构检查,其结构应呈现丝状,且均 匀,达到图1、图2的要求。 超高纯
Ultra high purity tungsten wire
靶材用超高纯钨板的化学成分 靶材用超高纯钨板的尺寸及允许偏差应符合供需双方签订的技术图纸要求,未注公差的产品, 应符合GB/T 1804-2000第5章表1、表2、表3中f(精密度)偏差的要求。 靶材用超高纯钨板的晶粒尺寸应符合表2的要求,并且晶粒大小分布均匀。 靶材用超高纯钨板
Ultra high purity tungsten plate for target
本标准规定了电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)等内容。 本标准适用于电子薄膜用高纯钨及钨合金溅射靶材,以下简称高纯钨及钨合金靶
High-purity tungsten and tungsten alloy sputtering target used in electronic film
高纯度钨部件牌号以W加G再加阿拉伯数字表示,其中阿拉伯数字表示化学成分分级。产品按化 学成分分为WG1、 WG2和WG3三个牌号。 牌号的成分、纯度和状态符合表1的规定。 高纯度钨部件化学成分应符合表2的规定。 高纯度钨部件的尺寸、规格及结构方式一般根据需方提供的图纸确定,经
High purity tungsten parts
本标准规定了高纯钨中痕量元素含量的测定方法,测定元素见表1。本标准适用于高纯钨中痕量元素含量的测定。各元素测定范围为1 μg/kg~5 000 μg/kg
Methods for chemical analysis of high purity tungsten.Determination of trace impurity element content.Glow discharge mass spectrometry
本标准规定了高纯钨中锂、铍、硼、铬、钛、钒、锰、铁、钴、镍、铜、镓、砷、锶、锆、钽、铌、钼、镉、锑、铪、铅和铋量的测定方法。本标准适用于高纯钨中痕量杂质的测定,测定范围:0.000 1%~0.010
Methods for chemical analysis of the high purity tungsten.Determination of trace impurity element content.Inductively coupled plasma mass spectrometry
本标准规定了纯氮、高纯氮和超纯氮产品的技术要求、检验方法以及包装、标志、贮运、安全警示等。 本标准适用于空气分离或经净化得到的气态或液态的纯氮、高纯氮和超纯氮,主要用作保护气、置换气、反应气等。 分子式:N2 相对分子质量:28.0134(按2005年相对原子质量
Pure nitrogen and high purity nitrogen and ultra pure nitrogen
本标准规定了气态氦和液态氦的技术要求、检验规则、检验方法、产品的包装、标志、储存及安全警示等。 本标准适用于以深冷法提取的纯氦、高纯氦和超纯氦,主要用于光导纤维、激光、焊接切割、潜水呼吸、低温超导、增压、清洗、保护气等。 分子式:He. 相对分子质量:4.002 602(按2007年国际相对
Pure helium,high pure helium and ultra pure helium
本标准规定了纯氢、高纯氢、超纯氢的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮存及运输和安全要求。 本标准适用于以工业氢为原料经吸附法、扩散法以及其他方法净化制取的瓶装或管道输送的氢气, 主要用于电子工业、石油化工、金属冶炼、国防尖端技术和科学研究等部门
Pure hydrogen, high pruity hydrogen and ultra pure hydrogen
本标准规定了纯氖和高纯氖的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮运及安全警示等。本标准适用于以深冷法提取的纯氖和高纯氖,主要用于霓虹灯及作为电子工业的填充介质,也用于激光技术、高能物理、混合气配制。分子式:Ne。相对分子质量:20.1797(按2009年国际相对原子质量
Pure neon and high purity neon
本标准规定了纯氧、高纯氧和超纯氧的技术要求、检验方法、检验规则以及包装、标志、运输、贮存等。 本标准适用于空气分离制取的和水电解制取的高纯度气态和液态氧,主要用于标准混合气的制备、科学研究、集成电路和半导体器件的生产以及其他对氧气纯度要求较高的领域
Pure oxygen and high purity oxygen and ultra pure oxygen
本标准规定了高纯锌的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容。本标准适用于以99.995%、99.99%的锌为原料,用真空蒸馏法工艺而生产的高纯锌。高纯锌产品主要应用于制备半导体化合物、红外发光材料、高级合金等。高纯锌粒与高纯锌粉可用作化学试剂等
High purity zinc
本标准规定了高纯铟的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容等。 本标准适用于以工业粗铟为原料,经原料处理及电解精炼等工艺制得的高纯铟。产品供制作化合物半导体、高纯合金、高级轴承及半导体材料的掺杂剂等
High purity indium
High purity nickel
本标准规定了高纯碲的要求、检验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、质量证明书和合同(或订货单)内容。 本标准适用于高纯碲,该产品主要用于红外探测器、红外激光器、碲化物光纤、太阳能电池、γ射线探测器、欧姆接触器、半导体致冷元件、复印机感光元件、垂直磁记录材料等领域
High purity tellurium