整流二极管检测

JUS N.R1.421-1979 整流二极管．测量方法

Rectffiar diodes. Measuring methods

JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法

本标准规定了整流二极管(以下简称整流管)的一般测试要求,电特性测量、热特性测量、额定值检验和热循环负载试验方法。本标准适用于普通整流管、快恢复整流管、机动车用整流管、高压整流堆、雪崩整流管和可控雪崩整流管,半导体整流模块和半导体整流组件也可参照使用

Testing methods for rectifier diodes

GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

国际电工委员会电子器件质量评定体系遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用范围要求所放行的电子器件在其他成员国内需再试验同样为合格。 本空白详细规范是半导体器件-系列空白详细规范的一个，应该和

Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100A

GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分;整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 2: Rectifier diodes. Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100A

CECC 50 008- 004 额定环境整流二极管(英文)

Ambient Rated Rectifier Diode (En)

CECC 50 008- 005 额定环境整流二极管(英文)

Ambient Rated Rectifier Diode (En)

SJ 1947-1981 2CZ33B、2DZ33B型硅电源整流二极管

Detail specification for silicon power rectifier diodes,Type 2CZ32B,2DZ32B,2CZ33B and 2DZ33B

KS C IEC 60747-2-1-2006(2016 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100A及以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section one：Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated, up to 100 A

KS C IEC 60747-2-1-2006(2021 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100 A以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section one：Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated, up to 100 A

GOST 20693-1975 高压整流二极管.术语和定义

Hign-voltage kenotrons. Terms and definitions

KS C 6045-1991(2001 半导体整流二极管测试方法

TESTING METHODS FOR SEMICONDUCTOR RECTIFIER DIODES

TIS 1596-1999 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第2节:电流在100A以上环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

Semiconductor devices.discrete devices.part 2: rectifier diodes section 2: blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100 a

KS C IEC 60747-2-2-2006(2021 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section Two : Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for current

KS C IEC 60747-2-2-2006(2016 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section Two : Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for current

IEC 60747-2-1:1989 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以下环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

The blank detail specification described includes mechanical description, categories of assessed quality, limiting values, electrical characteristics

Semiconductor devices; discrete devices; part 2: rectifier diodes; section one: blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100 A

JUS N.R1.421-1979 整流二极管．测量方法

Rectffiar diodes. Measuring methods

JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法

本标准规定了整流二极管(以下简称整流管)的一般测试要求,电特性测量、热特性测量、额定值检验和热循环负载试验方法。本标准适用于普通整流管、快恢复整流管、机动车用整流管、高压整流堆、雪崩整流管和可控雪崩整流管,半导体整流模块和半导体整流组件也可参照使用

Testing methods for rectifier diodes

GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

国际电工委员会电子器件质量评定体系遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用范围要求所放行的电子器件在其他成员国内需再试验同样为合格。 本空白详细规范是半导体器件-系列空白详细规范的一个，应该和

Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100A

GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分;整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 2: Rectifier diodes. Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100A

CECC 50 008- 004 额定环境整流二极管(英文)

Ambient Rated Rectifier Diode (En)

CECC 50 008- 005 额定环境整流二极管(英文)

Ambient Rated Rectifier Diode (En)

SJ 1947-1981 2CZ33B、2DZ33B型硅电源整流二极管

Detail specification for silicon power rectifier diodes,Type 2CZ32B,2DZ32B,2CZ33B and 2DZ33B

KS C IEC 60747-2-1-2006(2016 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100A及以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section one：Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated, up to 100 A

KS C IEC 60747-2-1-2006(2021 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100 A以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section one：Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated, up to 100 A

GOST 20693-1975 高压整流二极管.术语和定义

Hign-voltage kenotrons. Terms and definitions

KS C 6045-1991(2001 半导体整流二极管测试方法

TESTING METHODS FOR SEMICONDUCTOR RECTIFIER DIODES

TIS 1596-1999 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第2节:电流在100A以上环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

Semiconductor devices.discrete devices.part 2: rectifier diodes section 2: blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100 a

KS C IEC 60747-2-2-2006(2021 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section Two : Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for current

KS C IEC 60747-2-2-2006(2016 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section Two : Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for current

IEC 60747-2-1:1989 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以下环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

The blank detail specification described includes mechanical description, categories of assessed quality, limiting values, electrical characteristics

Semiconductor devices; discrete devices; part 2: rectifier diodes; section one: blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100 A