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整流二极管检测

📅 发布时间：2024-05-27 👤 来源：北检院 👁 阅读：

JUS N.R1.421-1979 整流二极管．测量方法

Rectffiar diodes. Measuring methods

JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法

本标准规定了整流二极管(以下简称整流管)的一般测试要求,电特性测量、热特性测量、额定值检验和热循环负载试验方法。本标准适用于普通整流管、快恢复整流管、机动车用整流管、高压整流堆、雪崩整流管和可控雪崩整流管,半导体整流模块和半导体整流组件也可参照使用

Testing methods for rectifier diodes

GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

国际电工委员会电子器件质量评定体系遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用范围要求所放行的电子器件在其他成员国内需再试验同样为合格。 本空白详细规范是半导体器件-系列空白详细规范的一个，应该和

Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100A

GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分;整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 2: Rectifier diodes. Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100A

CECC 50 008- 004 额定环境整流二极管(英文)

Ambient Rated Rectifier Diode (En)

CECC 50 008- 005 额定环境整流二极管(英文)

Ambient Rated Rectifier Diode (En)

SJ 1947-1981 2CZ33B、2DZ33B型硅电源整流二极管

Detail specification for silicon power rectifier diodes,Type 2CZ32B,2DZ32B,2CZ33B and 2DZ33B

KS C IEC 60747-2-1-2006(2016 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100A及以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section one：Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated, up to 100 A

KS C IEC 60747-2-1-2006(2021 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100 A以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section one：Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated, up to 100 A

GOST 20693-1975 高压整流二极管.术语和定义

Hign-voltage kenotrons. Terms and definitions

KS C 6045-1991(2001 半导体整流二极管测试方法

TESTING METHODS FOR SEMICONDUCTOR RECTIFIER DIODES

TIS 1596-1999 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第2节:电流在100A以上环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

Semiconductor devices.discrete devices.part 2: rectifier diodes section 2: blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100 a

KS C IEC 60747-2-2-2006(2021 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section Two : Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for current

KS C IEC 60747-2-2-2006(2016 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section Two : Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for current

IEC 60747-2-1:1989 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以下环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

The blank detail specification described includes mechanical description, categories of assessed quality, limiting values, electrical characteristics

Semiconductor devices; discrete devices; part 2: rectifier diodes; section one: blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100 A

JUS N.R1.421-1979 整流二极管．测量方法

Rectffiar diodes. Measuring methods

JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法

本标准规定了整流二极管(以下简称整流管)的一般测试要求,电特性测量、热特性测量、额定值检验和热循环负载试验方法。本标准适用于普通整流管、快恢复整流管、机动车用整流管、高压整流堆、雪崩整流管和可控雪崩整流管,半导体整流模块和半导体整流组件也可参照使用

Testing methods for rectifier diodes

GB/T 16894-1997 大于100A，环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

国际电工委员会电子器件质量评定体系遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用范围要求所放行的电子器件在其他成员国内需再试验同样为合格。 本空白详细规范是半导体器件-系列空白详细规范的一个，应该和

Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100A

GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分;整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 2: Rectifier diodes. Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100A

CECC 50 008- 004 额定环境整流二极管(英文)

Ambient Rated Rectifier Diode (En)

CECC 50 008- 005 额定环境整流二极管(英文)

Ambient Rated Rectifier Diode (En)

SJ 1947-1981 2CZ33B、2DZ33B型硅电源整流二极管

Detail specification for silicon power rectifier diodes,Type 2CZ32B,2DZ32B,2CZ33B and 2DZ33B

KS C IEC 60747-2-1-2006(2016 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100A及以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section one：Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated, up to 100 A

KS C IEC 60747-2-1-2006(2021 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一节:100 A以下环境和外壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section one：Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated, up to 100 A

GOST 20693-1975 高压整流二极管.术语和定义

Hign-voltage kenotrons. Terms and definitions

KS C 6045-1991(2001 半导体整流二极管测试方法

TESTING METHODS FOR SEMICONDUCTOR RECTIFIER DIODES

TIS 1596-1999 半导体器件.分立器件.第2部分:整流二极管.第2节:电流在100A以上环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

Semiconductor devices.discrete devices.part 2: rectifier diodes section 2: blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100 a

KS C IEC 60747-2-2-2006(2021 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section Two : Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for current

KS C IEC 60747-2-2-2006(2016 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第2节:额定环境和外壳电流大于100A的整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范

Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section Two : Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for current

IEC 60747-2-1:1989 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第1节:电流在100A以下环境和外壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范

The blank detail specification described includes mechanical description, categories of assessed quality, limiting values, electrical characteristics

Semiconductor devices; discrete devices; part 2: rectifier diodes; section one: blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100 A

编辑：北检院编辑部

我们的优势

选择北检院的六大理由

📚

CMA/CNAS 双认证

旗下实验室具备国家认证认可监督管理委员会CMA资质认定及中国合格评定国家认可委员会CNAS实验室认可，检测报告具有国际公信力。

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1000+ 台套先进设备

配备扫描电镜、气质联用仪、电感耦合等离子体质谱仪等国际先进检测仪器，确保数据精准可靠。

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15000+ 平米实验室

拥有规模化专业检测基地，涵盖材料、化工、食品、环境等多个专业实验室，满足多领域检测需求。

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资深技术团队

汇聚材料科学、化学分析、环境工程等领域专家，拥有10年+行业经验，提供专业可靠的检测分析服务。

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快速响应机制

标准检测周期短至3个工作日，加急服务24小时出具报告，全程一对一工程师跟进，确保高效交付。

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全国服务网络

总部位于北京，山东设立分部，服务覆盖全国，为20万+客户提供便捷的一站式检测解决方案。

荣誉资质

旗下实验室资质荣誉

CMA 检验检测机构资质认定

CMA 检验检测机构资质认定

国家认证认可监督管理委员会颁发，具备向社会出具具有证明作用数据的资质。

CNAS 实验室认可证书

CNAS 实验室认可证书

中国合格评定国家认可委员会认可，检测结果获国际互认，具有国际公信力。

ISO 质量管理体系认证

ISO 质量管理体系认证

通过ISO 质量管理体系认证，管理体系实现规范化、标准化。

绿色低碳诚信示范创建企业

绿色低碳诚信示范创建企业

荣获绿色低碳诚信示范创建企业称号，践行可持续发展理念，推动绿色低碳转型，助力"双碳"目标实现。

北京市创新型中小企业

北京市"创新型"中小企业

经北京市经济和信息化局认定的创新型中小企业，具备较强创新能力与较高专业化水平，是优质中小企业梯度培育体系的重要基础力量。

北京市专精特新中小企业

北京市"专精特新"中小企业

经北京市经济和信息化局认定的专精特新中小企业，具备专业化、精细化、特色化、新颖化发展特征，在细分领域具有较强竞争优势。

查看全部资质

仪器设备

国际先进检测仪器，确保检测数据精准可靠

扫描电子显微镜

扫描电子显微镜（SEM）

超高分辨率场发射扫描电镜，放大倍数可达30万倍，配备能谱仪，用于材料微观形貌观察与元素成分分析。

气相色谱-质谱联用仪

气相色谱-质谱联用仪（GC-MS）

高灵敏度气质联用仪，配备双离子源，检测限低至皮克级，用于挥发性及半挥发性有机物的定性定量分析。

电感耦合等离子体质谱仪

电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）

超高灵敏度质谱仪，检出限低至万亿分之一，线性范围宽，用于环境、食品、材料中痕量元素及重金属分析。

电子万能试验机

电子万能试验机

高精度力学试验机，载荷范围覆盖0-50千牛，配备高精度引伸计，用于金属、塑料、复合材料等力学性能测试。

X射线荧光光谱仪

X射线荧光光谱仪（XRF）

能量色散型荧光光谱仪，检测范围覆盖钠到铀元素，可快速无损分析固体、粉末、液体样品中的元素成分。

液相色谱-质谱联用仪

液相色谱-质谱联用仪（LC-MS/MS）

三重四极杆液质联用仪，灵敏度达飞克级，用于非挥发性有机物、药物残留、生物毒素等的高灵敏定量分析。

傅里叶变换红外光谱仪

傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）

高分辨率红外光谱仪，波数范围宽，配备衰减全反射附件，用于有机物官能团鉴定、聚合物及材料成分定性分析。

电感耦合等离子体发射光谱仪

电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）

垂直火炬等离子体发射光谱仪，多元素同时快速分析，线性范围宽，适用于常量及微量元素的定量测定。

电磁兼容（EMC）测试系统

电磁兼容（EMC）测试系统

宽频段电磁兼容测试系统，频率范围覆盖2赫兹至44吉赫兹，满足国际主流标准，用于电磁干扰与抗扰度测试。

热重分析仪（TGA）

热重分析仪（TGA）

高精度热重分析仪，温度范围室温至1000摄氏度，分辨率0.1微克，用于材料热稳定性、分解温度及组分含量分析。

差示扫描量热仪（DSC）

差示扫描量热仪（DSC）

高灵敏度差示扫描量热仪，温度范围零下180至725摄氏度，用于材料玻璃化转变温度、熔点、结晶度等热力学参数测定。

离子色谱仪（IC）

离子色谱仪（IC）

高性能离子色谱系统，配备电导检测器，检测限低至微克每升级，用于水质、食品、环境中阴离子及阳离子的精准分析。

原子吸收光谱仪（AAS）

原子吸收光谱仪（AAS）

石墨炉与火焰双模式原子吸收光谱仪，检出限低至纳克每升级，用于食品、环境、生物样品中痕量金属元素分析。

激光粒度分析仪

激光粒度分析仪

激光衍射粒度分析仪，测量范围0.01至3500微米，支持湿法与干法双模式，用于粉末、悬浮液等颗粒粒度分布测定。

X射线衍射仪（XRD）

X射线衍射仪（XRD）

高分辨率X射线衍射仪，角度范围0至160度，用于材料物相定性定量分析、晶格参数测定及残余应力分析。

金相显微镜

金相显微镜

研究级金相显微镜，放大倍数50至1000倍，配备明场、暗场、偏光等多种观察模式，用于材料微观组织形貌分析。

查看全部设备

检测流程

标准化流程，高效交付

01

需求沟通

客户提交检测需求，技术顾问一对一沟通，明确检测项目与标准。

➔
02

样品寄送

客户按照规范要求寄送样品，实验室确认样品状态与数量。

➔
03

实验检测

专业工程师按照标准方法进行检测分析，全程质量控制。

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04

数据审核

检测数据经多级审核，确保结果准确、可靠、可追溯。

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05

报告出具

出具检测报告，支持电子版与纸质版，快递送达。

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