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绝缘栅双极型晶体管检测

发布时间:2023-05-25 08:52:21

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军工检测 其他检测

JB/T 8951.1-1999

本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的型号、外形尺寸、额定值、特性、试验方法和检验规则等

Insulated gate bipolar transistor

GB/T 17007-1997 测试方法

Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor

JB/T 8951.2-1999 模块.臂和臂对

本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的臂和臂对模块的型号、外形尺寸、额定值和特性、试验方法和检验规则等

Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms

T/FSI 121-2023 用有机硅凝胶

本文件规定了绝缘栅双极型晶体管(简称 IGBT)用有机硅凝胶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于各种IGBT模块用的双组分加成型有机硅凝胶

GB/T 17008-1997 的词汇及文字符号

Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor

JJG(电子) 310007-2006 直流参数测试系统检定规程

Speciation for verification of DC parameter testing system for isolated gate bipolar transistors

TIS 2125-2002 表面安装工艺.分立器件.第9部分:(IGBT)

Surface mounting technology.discrete devices.part 9: insulated.gate bipolar transistors (igbts)

T/CES 085-2021 压接(IGBT)模块高温反偏试验规范

本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块,其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT(IEGT)、双模式绝缘栅晶体管(BIGT)等模块也可参照此标准。 本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容,包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容

Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules

T/CEC 155-2018 柔性输电用压接 (IGBT)器件的一般要求

本标准规定了柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管的型号、尺寸、额定值、特性参数、检验、标志和订货单的技术要求

BS IEC 60747-9:2007 半导装置.分立器件.(IGBTs)

This part of IEC 60747 gives product specific standards for terminology,letter symbols, essential ratings and characteristics,verification of ratings

Semiconductor devices - Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

IEC 60747-9:2019 半导器件第9部分:分立器件

Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

IEC 60747-9-2019 半导器件第9部分:分立器件

Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

GB/T 29332-2012 半导器件 分立器件 第9部分:(IGBT)

本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

Semiconductor devices.Discrete devices.Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)

IEC 60747-9:1998 半导器件 分立器件 第9部分:(IGBTS)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

IEC 60747-9:2007 半导装置.分立器件.第9部分:(IGBTs)

This part of IEC 60747 gives product specific standards for terminology,letter symbols, essential ratings and characteristics,verification of ratings

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

JB/T 8951.1-1999

本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的型号、外形尺寸、额定值、特性、试验方法和检验规则等

Insulated gate bipolar transistor

GB/T 17007-1997 测试方法

Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor

JB/T 8951.2-1999 模块.臂和臂对

本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的臂和臂对模块的型号、外形尺寸、额定值和特性、试验方法和检验规则等

Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms

T/FSI 121-2023 用有机硅凝胶

本文件规定了绝缘栅双极型晶体管(简称 IGBT)用有机硅凝胶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于各种IGBT模块用的双组分加成型有机硅凝胶

GB/T 17008-1997 的词汇及文字符号

Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor

JJG(电子) 310007-2006 直流参数测试系统检定规程

Speciation for verification of DC parameter testing system for isolated gate bipolar transistors

TIS 2125-2002 表面安装工艺.分立器件.第9部分:(IGBT)

Surface mounting technology.discrete devices.part 9: insulated.gate bipolar transistors (igbts)

T/CES 085-2021 压接(IGBT)模块高温反偏试验规范

本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块,其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT(IEGT)、双模式绝缘栅晶体管(BIGT)等模块也可参照此标准。 本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容,包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容

Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules

T/CEC 155-2018 柔性输电用压接 (IGBT)器件的一般要求

本标准规定了柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管的型号、尺寸、额定值、特性参数、检验、标志和订货单的技术要求

BS IEC 60747-9:2007 半导装置.分立器件.(IGBTs)

This part of IEC 60747 gives product specific standards for terminology,letter symbols, essential ratings and characteristics,verification of ratings

Semiconductor devices - Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

IEC 60747-9:2019 半导器件第9部分:分立器件

Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

IEC 60747-9-2019 半导器件第9部分:分立器件

Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

GB/T 29332-2012 半导器件 分立器件 第9部分:(IGBT)

本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求

Semiconductor devices.Discrete devices.Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)

IEC 60747-9:1998 半导器件 分立器件 第9部分:(IGBTS)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

IEC 60747-9:2007 半导装置.分立器件.第9部分:(IGBTs)

This part of IEC 60747 gives product specific standards for terminology,letter symbols, essential ratings and characteristics,verification of ratings

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

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