JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管
本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的型号、外形尺寸、额定值、特性、试验方法和检验规则等
Insulated gate bipolar transistor
GB/T 17007-1997 绝缘栅双极型晶体管测试方法
Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor
JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块.臂和臂对
本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的臂和臂对模块的型号、外形尺寸、额定值和特性、试验方法和检验规则等
Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms
T/FSI 121-2023 绝缘栅双极型晶体管用有机硅凝胶
本文件规定了绝缘栅双极型晶体管（简称 IGBT）用有机硅凝胶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于各种IGBT模块用的双组分加成型有机硅凝胶
GB/T 17008-1997 绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号
Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor
JJG(电子) 310007-2006 绝缘栅双极型晶体管直流参数测试系统检定规程
Speciation for verification of DC parameter testing system for isolated gate bipolar transistors
TIS 2125-2002 表面安装工艺.分立器件.第9部分:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
Surface mounting technology.discrete devices.part 9: insulated.gate bipolar transistors (igbts)
T/CES 085-2021 压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范
本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块，其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此标准。 本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容
Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules
T/CEC 155-2018 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管 （IGBT）器件的一般要求
本标准规定了柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管的型号、尺寸、额定值、特性参数、检验、标志和订货单的技术要求
BS IEC 60747-9:2007 半导体装置.分立器件.绝缘栅双极晶体管(IGBTs)
This part of IEC 60747 gives product specific standards for terminology，letter symbols， essential ratings and characteristics，verification of ratings
Semiconductor devices - Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC 60747-9:2019 半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC 60747-9-2019 半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求
Semiconductor devices.Discrete devices.Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)
IEC 60747-9:1998 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTS)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC 60747-9:2007 半导体装置.分立器件.第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)
This part of IEC 60747 gives product specific standards for terminology，letter symbols， essential ratings and characteristics，verification of ratings
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管
本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的型号、外形尺寸、额定值、特性、试验方法和检验规则等
Insulated gate bipolar transistor
GB/T 17007-1997 绝缘栅双极型晶体管测试方法
Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor
JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块.臂和臂对
本标准规定了工作频率在10到40kHz范围的快速型绝缘栅双极型晶体管的臂和臂对模块的型号、外形尺寸、额定值和特性、试验方法和检验规则等
Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms
T/FSI 121-2023 绝缘栅双极型晶体管用有机硅凝胶
本文件规定了绝缘栅双极型晶体管（简称 IGBT）用有机硅凝胶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于各种IGBT模块用的双组分加成型有机硅凝胶
GB/T 17008-1997 绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号
Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor
JJG(电子) 310007-2006 绝缘栅双极型晶体管直流参数测试系统检定规程
Speciation for verification of DC parameter testing system for isolated gate bipolar transistors
TIS 2125-2002 表面安装工艺.分立器件.第9部分:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
Surface mounting technology.discrete devices.part 9: insulated.gate bipolar transistors (igbts)
T/CES 085-2021 压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范
本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块，其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此标准。 本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容
Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules
T/CEC 155-2018 柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管 （IGBT）器件的一般要求
本标准规定了柔性输电用压接型绝缘栅双极晶体管的型号、尺寸、额定值、特性参数、检验、标志和订货单的技术要求
BS IEC 60747-9:2007 半导体装置.分立器件.绝缘栅双极晶体管(IGBTs)
This part of IEC 60747 gives product specific standards for terminology，letter symbols， essential ratings and characteristics，verification of ratings
Semiconductor devices - Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC 60747-9:2019 半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC 60747-9-2019 半导体器件第9部分:分立器件绝缘栅双极晶体管
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求
Semiconductor devices.Discrete devices.Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)
IEC 60747-9:1998 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTS)
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC 60747-9:2007 半导体装置.分立器件.第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)
This part of IEC 60747 gives product specific standards for terminology，letter symbols， essential ratings and characteristics，verification of ratings
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
编辑：北检院编辑部
