发布时间：2024-05-27 17:49:26 - 更新时间：2024年06月29日 15:22
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本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底
Monocrystalline silicon polished wafers
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术
300 mm polished monocrystalline silicon wafers
Monocrystalline silicon polished wafers
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
Silicon carbide single crystal polished wafer
本规范规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、牌号、要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。本规范适用于晶型为6H和4H,单面或双面抛光,直径100 mm及以下的碳化硅单晶抛光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照使用
Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers
本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准规定了碳化硅
6 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers
本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。 本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路
200 mm heavily phosphorus-doped single crystalline Czochralski silicon polished wafers
本文件规定了200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何
200 mm heavily antimony-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafer
本文件规定了300 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何
300 mm heavily phosphorus-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafers
随着科技的发展和进步，第三代半导体材料碳化硅（SiC）取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件，并逐步展现出巨大的潜力。随着SiC单晶和外延技术的进步，碳化硅器件将逐步展现出其性能和降低
Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
本标准规定了碳化硅单晶抛光片(以下简称“抛光片”)表面质量的目视检验方法。本标准适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测
Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的损检测方法。本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量
Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法,包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。本标准适用于碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试。其中,原子力显微镜法仅适用于经过化学机械抛光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在零点几纳米至几微米范围内的碳化硅单晶抛光片
Test methods for measuring surface roughness of polished monocrystalline silicon carbide wafers
本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底
Monocrystalline silicon polished wafers
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术
300 mm polished monocrystalline silicon wafers
Monocrystalline silicon polished wafers
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底
Polished monocrystalline silicon carbide wafers
Silicon carbide single crystal polished wafer
本规范规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、牌号、要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、贮存和运输等内容。本规范适用于晶型为6H和4H,单面或双面抛光,直径100 mm及以下的碳化硅单晶抛光片。其它晶型或尺寸的碳化硅单晶抛光片可参照使用
Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers
本标准适用于6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅抛光片。规定了6 英寸4H 及6H 碳化硅单晶抛光片的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准规定了碳化硅
6 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers
本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。 本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路
200 mm heavily phosphorus-doped single crystalline Czochralski silicon polished wafers
本文件规定了200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何
200 mm heavily antimony-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafer
本文件规定了300 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。其中技术要求包括原材料、物理性能、化学成分、几何
300 mm heavily phosphorus-doped single crystaline Czochralski silicon polished wafers
随着科技的发展和进步，第三代半导体材料碳化硅（SiC）取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源领域开始逐步取代硅基电力电子器件，并逐步展现出巨大的潜力。随着SiC单晶和外延技术的进步，碳化硅器件将逐步展现出其性能和降低
Test method for dislocation density of silicon carbide polished wafers
本标准规定了碳化硅单晶抛光片(以下简称“抛光片”)表面质量的目视检验方法。本标准适用于单面或者双面抛光的碳化硅单晶抛光片表面质量的检测
Test method for measuring surface quality of polished monocrystalline silicon carbide
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的损检测方法。本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量
Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法,包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。本标准适用于碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试。其中,原子力显微镜法仅适用于经过化学机械抛光或光学抛光且表面粗糙度的起伏在零点几纳米至几微米范围内的碳化硅单晶抛光片
Test methods for measuring surface roughness of polished monocrystalline silicon carbide wafers
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