发布时间：2024-05-27 17:49:26 - 更新时间：2024年06月29日 15:22
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本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成抛光片
Monocrystalline silicon cut slices and lapped slice
Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers
本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片，硅片直径范围为50.8～125mm。产品用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成
Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices
Silicon single crystal cutting and grinding discs
本标准规定了直径300 mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片,产品将进一步加工成抛光片,用于制作
300 mm monocrystalline silicon as cut slices and grinded slices
이 규격은 실리콘 웨이퍼에서 보이는 다양한 특징과 오염 물질의 겉모양 검사 및 한쪽면으로
Visual inspection for sliced and lapped silicon wafers
本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、
Monocrystalline silicon as lapped wafers for TVS
本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片（简称硅片）的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。 本标准适用于直拉法（CZ/MCZ）制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片
Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells
本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片,产品用于技术代180nm~22nm 的集成电路
Annealed monocrystalline silicon wafers
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片
Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片
Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices
本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用
Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices
本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成抛光片
Monocrystalline silicon cut slices and lapped slice
Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers
本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片，硅片直径范围为50.8～125mm。产品用于制作晶体管、整流器件等半导体器件，或进一步加工成
Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices
Silicon single crystal cutting and grinding discs
本标准规定了直径300 mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片,产品将进一步加工成抛光片,用于制作
300 mm monocrystalline silicon as cut slices and grinded slices
이 규격은 실리콘 웨이퍼에서 보이는 다양한 특징과 오염 물질의 겉모양 검사 및 한쪽면으로
Visual inspection for sliced and lapped silicon wafers
本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、
Monocrystalline silicon as lapped wafers for TVS
本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片（简称硅片）的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。 本标准适用于直拉法（CZ/MCZ）制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片
Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells
本文件规定了硅单晶退火片(以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片,产品用于技术代180nm~22nm 的集成电路
Annealed monocrystalline silicon wafers
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片
Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片
Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices
本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用
Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices
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