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锑化铟多晶、单晶及切割片检测

发布时间:2024-05-27 17:49:26 - 更新时间:2024年06月29日 15:22

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军工检测 其他检测

GB/T 11072-2009

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

GB/T 11072-1989

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片

Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices

GJB 10342-2021 抛光规范

SJ 3243-1989 磷

本标准规定了液封直拉法(LEC)生长的磷化铟单晶棒、片的牌号命名方法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造光电器件、微波器件、集成电路衬底用的液封直拉磷化铟单晶棒、片

Indium phosphide single-crystal bar and wafers

SJ 20640-1997 红外探测器用规范

Specification for indium antimonide single crystal slices for use in infrared detector

GB/T 11094-2020 水平法砷

本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片

Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method

GB/T 11094-2007 水平法砷

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片,产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

GB/T 11094-1989 水平法砷

本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用

Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices

GB/T 11093-1989 液封直拉法砷

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用

Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and As-cut slices

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料

Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices

SJ 20641-1997 红外探测器用规范

本规范规定了红外探测器用掺杂与非掺杂锑化铟单晶的要求,质量保证规定。交货准备和其他要求。 本规范适用于直接法制备供红外探测器用锑化铟单晶

Specification for indium antimonide single crystals for used in infrared detector

GJB 2917A-2018 磷规范

GJB 2917A-2004 磷规范

GJB 2917-1997 磷规范

GB/T 12965-2005 硅和研磨

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件,或进一步加工成抛光片

Monocrystalline silicon cut slices and lapped slice

GB/T 11072-2009

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

GB/T 11072-1989

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片

Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices

GJB 10342-2021 抛光规范

SJ 3243-1989 磷

本标准规定了液封直拉法(LEC)生长的磷化铟单晶棒、片的牌号命名方法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造光电器件、微波器件、集成电路衬底用的液封直拉磷化铟单晶棒、片

Indium phosphide single-crystal bar and wafers

SJ 20640-1997 红外探测器用规范

Specification for indium antimonide single crystal slices for use in infrared detector

GB/T 11094-2020 水平法砷

本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片

Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method

GB/T 11094-2007 水平法砷

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片,产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

GB/T 11094-1989 水平法砷

本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用

Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices

GB/T 11093-1989 液封直拉法砷

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用

Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and As-cut slices

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料

Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices

SJ 20641-1997 红外探测器用规范

本规范规定了红外探测器用掺杂与非掺杂锑化铟单晶的要求,质量保证规定。交货准备和其他要求。 本规范适用于直接法制备供红外探测器用锑化铟单晶

Specification for indium antimonide single crystals for used in infrared detector

GJB 2917A-2018 磷规范

GJB 2917A-2004 磷规范

GJB 2917-1997 磷规范

GB/T 12965-2005 硅和研磨

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件,或进一步加工成抛光片

Monocrystalline silicon cut slices and lapped slice

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