锑化铟多晶、单晶及切割片检测

📅 发布时间:2024-05-27 👤 来源:北检院 👁 阅读:

GB/T 11072-2009

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

GB/T 11072-1989

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片

Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices

GJB 10342-2021 抛光规范

SJ 3243-1989 磷

本标准规定了液封直拉法(LEC)生长的磷化铟单晶棒、片的牌号命名方法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造光电器件、微波器件、集成电路衬底用的液封直拉磷化铟单晶棒、片

Indium phosphide single-crystal bar and wafers

SJ 20640-1997 红外探测器用规范

Specification for indium antimonide single crystal slices for use in infrared detector

GB/T 11094-2020 水平法砷

本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片

Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method

GB/T 11094-2007 水平法砷

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片,产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

GB/T 11094-1989 水平法砷

本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用

Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices

GB/T 11093-1989 液封直拉法砷

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用

Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and As-cut slices

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料

Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices

SJ 20641-1997 红外探测器用规范

本规范规定了红外探测器用掺杂与非掺杂锑化铟单晶的要求,质量保证规定。交货准备和其他要求。 本规范适用于直接法制备供红外探测器用锑化铟单晶

Specification for indium antimonide single crystals for used in infrared detector

GJB 2917A-2018 磷规范

GJB 2917A-2004 磷规范

GJB 2917-1997 磷规范

GB/T 12965-2005 硅和研磨

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件,或进一步加工成抛光片

Monocrystalline silicon cut slices and lapped slice

GB/T 11072-2009

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

GB/T 11072-1989

本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片

Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices

GJB 10342-2021 抛光规范

SJ 3243-1989 磷

本标准规定了液封直拉法(LEC)生长的磷化铟单晶棒、片的牌号命名方法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造光电器件、微波器件、集成电路衬底用的液封直拉磷化铟单晶棒、片

Indium phosphide single-crystal bar and wafers

SJ 20640-1997 红外探测器用规范

Specification for indium antimonide single crystal slices for use in infrared detector

GB/T 11094-2020 水平法砷

本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片

Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method

GB/T 11094-2007 水平法砷

本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片,产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作

Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer

GB/T 11094-1989 水平法砷

本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用

Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices

GB/T 11093-1989 液封直拉法砷

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用

Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and As-cut slices

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷

本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料

Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices

SJ 20641-1997 红外探测器用规范

本规范规定了红外探测器用掺杂与非掺杂锑化铟单晶的要求,质量保证规定。交货准备和其他要求。 本规范适用于直接法制备供红外探测器用锑化铟单晶

Specification for indium antimonide single crystals for used in infrared detector

GJB 2917A-2018 磷规范

GJB 2917A-2004 磷规范

GJB 2917-1997 磷规范

GB/T 12965-2005 硅和研磨

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆形硅片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等半导体器件,或进一步加工成抛光片

Monocrystalline silicon cut slices and lapped slice

编辑:北检院编辑部

我们的优势

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CMA/CNAS 双认证

旗下实验室具备国家认证认可监督管理委员会CMA资质认定及中国合格评定国家认可委员会CNAS实验室认可,检测报告具有国际公信力。

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1000+ 台套先进设备

配备扫描电镜、气质联用仪、电感耦合等离子体质谱仪等国际先进检测仪器,确保数据精准可靠。

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拥有规模化专业检测基地,涵盖材料、化工、食品、环境等多个专业实验室,满足多领域检测需求。

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资深技术团队

汇聚材料科学、化学分析、环境工程等领域专家,拥有10年+行业经验,提供专业可靠的检测分析服务。

快速响应机制

标准检测周期短至3个工作日,加急服务24小时出具报告,全程一对一工程师跟进,确保高效交付。

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全国服务网络

总部位于北京,山东设立分部,服务覆盖全国,为20万+客户提供便捷的一站式检测解决方案。

荣誉资质

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CMA 检验检测机构资质认定

CMA 检验检测机构资质认定

国家认证认可监督管理委员会颁发,具备向社会出具具有证明作用数据的资质。

CNAS 实验室认可证书

CNAS 实验室认可证书

中国合格评定国家认可委员会认可,检测结果获国际互认,具有国际公信力。

ISO 质量管理体系认证

ISO 质量管理体系认证

通过ISO 质量管理体系认证,管理体系实现规范化、标准化。

绿色低碳诚信示范创建企业

绿色低碳诚信示范创建企业

荣获绿色低碳诚信示范创建企业称号,践行可持续发展理念,推动绿色低碳转型,助力"双碳"目标实现。

北京市创新型中小企业

北京市"创新型"中小企业

经北京市经济和信息化局认定的创新型中小企业,具备较强创新能力与较高专业化水平,是优质中小企业梯度培育体系的重要基础力量。

北京市专精特新中小企业

北京市"专精特新"中小企业

经北京市经济和信息化局认定的专精特新中小企业,具备专业化、精细化、特色化、新颖化发展特征,在细分领域具有较强竞争优势。

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仪器设备

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检测流程

标准化流程,高效交付

01

需求沟通

客户提交检测需求,技术顾问一对一沟通,明确检测项目与标准。

02

样品寄送

客户按照规范要求寄送样品,实验室确认样品状态与数量。

03

实验检测

专业工程师按照标准方法进行检测分析,全程质量控制。

04

数据审核

检测数据经多级审核,确保结果准确、可靠、可追溯。

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报告出具

出具检测报告,支持电子版与纸质版,快递送达。

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