GB/T 20228-2021 砷化镓单晶
本文件规定了砷化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的,用于制备光电子、微电子等器件的砷化镓单晶,不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的砷化镓单晶
Gallium arsenide single crystal
GB/T 20228-2006 砷化镓单晶
本标准规定了砷化镓单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装等。 本标准适用于各种方法生长的砷化镓单晶，产品主要用于光电器件、微波器件、集成电路、传感元件和窗口材料等的制作
Gallium arsenide single crystal
SJ 3241-1989 砷化镓单晶棒及片
本标准规定了液封直拉法(LEG)和水平横拉法(HB)制备的砷化镓单晶棒、片牌号的命名方法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于微波器件、光电器件及集成电路衬底等用的液封直拉法和水平横拉法制备的砷化镓单晶棒片
Gallium arsenide single-crystal bar and wafer
GJB 1926-1994 砷化镓单晶材料规范
GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶
本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒的分类、技术要求、检验方法和规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒
Gallium arsenide single crystal for solar cell
GJB 1927-1994 砷化镓单晶材料测试方法
GJB 1927A-2021 砷化镓单晶材料测试方法
GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
GB/T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片
本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用
Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices
GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
本标准规定了砷化镓单晶AB微缺陷的检验方法。 本标准适用于砷化镓单晶AB微缺陷密度（AB－EPD）的检验。检验面为（100）面。测量范围小于 5 X 10<上角5> cm<上角-2
The inspecting method of AB microscopic defect in gallium arsenide single crystal
GB/T 11093-1989 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用
Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and As-cut slices
GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
本标准规定了砷化锋单品位错密度的测试方法。本标准适用于4100和(111)面砷化锋单唱位错密度的测试,测试范围为0 cm 一100 000 cm
Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法
本标准适用于位错密度为0～100000个/cm2的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为｛111｝和｛100｝面
Gallium arsenide single crystal--Determination of dislocation density
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
本标准适用于位错密度为（0～1000000）个/cm2的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面
Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density
GB/T 20228-2021 砷化镓单晶
本文件规定了砷化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的,用于制备光电子、微电子等器件的砷化镓单晶,不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的砷化镓单晶
Gallium arsenide single crystal
GB/T 20228-2006 砷化镓单晶
本标准规定了砷化镓单晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装等。 本标准适用于各种方法生长的砷化镓单晶，产品主要用于光电器件、微波器件、集成电路、传感元件和窗口材料等的制作
Gallium arsenide single crystal
SJ 3241-1989 砷化镓单晶棒及片
本标准规定了液封直拉法(LEG)和水平横拉法(HB)制备的砷化镓单晶棒、片牌号的命名方法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于微波器件、光电器件及集成电路衬底等用的液封直拉法和水平横拉法制备的砷化镓单晶棒片
Gallium arsenide single-crystal bar and wafer
GJB 1926-1994 砷化镓单晶材料规范
GB/T 25075-2010 太阳能电池用砷化镓单晶
本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶棒的分类、技术要求、检验方法和规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造砷化镓太阳能电池的砷化镓单晶滚圆棒
Gallium arsenide single crystal for solar cell
GJB 1927-1994 砷化镓单晶材料测试方法
GJB 1927A-2021 砷化镓单晶材料测试方法
GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。 本标准适用于水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片，产品主要用于光电器件、微波器件和传感元件等的制作
Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
GB/T 11094-1989 水平法砷化镓单晶及切割片
本标准规定了水平法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于水平法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用
Boat-grown gallium arsenide single crystals and As-cut slices
GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
本标准规定了砷化镓单晶AB微缺陷的检验方法。 本标准适用于砷化镓单晶AB微缺陷密度（AB－EPD）的检验。检验面为（100）面。测量范围小于 5 X 10<上角5> cm<上角-2
The inspecting method of AB microscopic defect in gallium arsenide single crystal
GB/T 11093-1989 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作光电器件、微波器件和传感元件等元器件用
Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and As-cut slices
GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
本标准规定了砷化锋单品位错密度的测试方法。本标准适用于4100和(111)面砷化锋单唱位错密度的测试,测试范围为0 cm 一100 000 cm
Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
GB/T 8760-1988 砷化镓单晶位错密度的测量方法
本标准适用于位错密度为0～100000个/cm2的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为｛111｝和｛100｝面
Gallium arsenide single crystal--Determination of dislocation density
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
本标准适用于位错密度为（0～1000000）个/cm2的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面
Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density
编辑：北检院编辑部
