发布时间：2024-05-27 17:49:26 - 更新时间：2024年06月29日 15:22
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本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片
Indium phosphide single crystal
本标准规定了n型、半绝缘型(Si)、p型磷化铟单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化铟单晶材料（以下简称单晶
Indium phosphide signle crystal
本标准规定了液封直拉法(LEC)生长的磷化铟单晶棒、片的牌号命名方法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造光电器件、微波器件、集成电路衬底用的液封直拉磷化铟单晶棒、片
Indium phosphide single-crystal bar and wafers
本标准规定了磷化铟单晶(100)面和(111)In面位错的腐蚀显示及显微测量的原理、仪器试剂、测量步骤。 本标准适用于位错密度在0～10^(5)/cm^(2)范围的单晶测量，被检测晶面的晶向偏差在5°以内
Methods for measuring dislocation of Indium phosphide single-crystal
本标准规定了砷化镓、磷化铟单晶锭端面及晶片晶向的X射线衍射测量原理、测量步骤、结果计算以及精度。 本标准适用于晶片表面大体平行于(10^(·)以内)某一低密勒指数原子面的单晶片的晶向测定
Methods of measurement for crystal-orientation of single crystal of Gallium arsenide and Indium phosphide
本标准规定了半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料电阻率的测量原量，仪器设备，测量步骤，计算方法。 本标准适用于室温电阻率为10^(6)～10^(8)Ω·cm均匀的砷化镓和磷化铟体单品半绝缘材料、电阻率在10^(4)～10^(5)Ω·cm时也可参照使用
Methods of measurement for resistivity of semi-insulation Gallium arsenide and Indium phosphide single crystal material
Polycrystalline indium phosphide
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片
Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片
Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
本标准规定了异质结外延层与衬底之间晶格失配的测量原理、步骤、计算方法。 本标准适田于以下范围：外延层表面晶向偏差小于1.5^(·)。多层外延层总厚度不大于10μm
Methods of measurement for crystal lattice mismatch between substrate of Gallium arsenide and Indium phosphide and extended layer of heterojunction
本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片
Gallium phosphide single crystal
本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的n型磷化镓单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化镓单晶材料（以下简称单晶
Gallium phosphide signle crystal
本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片
Indium phosphide single crystal
本标准规定了n型、半绝缘型(Si)、p型磷化铟单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化铟单晶材料（以下简称单晶
Indium phosphide signle crystal
本标准规定了液封直拉法(LEC)生长的磷化铟单晶棒、片的牌号命名方法、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于制造光电器件、微波器件、集成电路衬底用的液封直拉磷化铟单晶棒、片
Indium phosphide single-crystal bar and wafers
本标准规定了磷化铟单晶(100)面和(111)In面位错的腐蚀显示及显微测量的原理、仪器试剂、测量步骤。 本标准适用于位错密度在0～10^(5)/cm^(2)范围的单晶测量，被检测晶面的晶向偏差在5°以内
Methods for measuring dislocation of Indium phosphide single-crystal
本标准规定了砷化镓、磷化铟单晶锭端面及晶片晶向的X射线衍射测量原理、测量步骤、结果计算以及精度。 本标准适用于晶片表面大体平行于(10^(·)以内)某一低密勒指数原子面的单晶片的晶向测定
Methods of measurement for crystal-orientation of single crystal of Gallium arsenide and Indium phosphide
本标准规定了半绝缘砷化镓和磷化铟体单晶材料电阻率的测量原量，仪器设备，测量步骤，计算方法。 本标准适用于室温电阻率为10^(6)～10^(8)Ω·cm均匀的砷化镓和磷化铟体单品半绝缘材料、电阻率在10^(4)～10^(5)Ω·cm时也可参照使用
Methods of measurement for resistivity of semi-insulation Gallium arsenide and Indium phosphide single crystal material
Polycrystalline indium phosphide
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。 本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟单晶及其切割片
Indium antimonide polycrystal, single crystals and as-cut slices
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片
Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
本标准规定了异质结外延层与衬底之间晶格失配的测量原理、步骤、计算方法。 本标准适田于以下范围：外延层表面晶向偏差小于1.5^(·)。多层外延层总厚度不大于10μm
Methods of measurement for crystal lattice mismatch between substrate of Gallium arsenide and Indium phosphide and extended layer of heterojunction
本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片
Gallium phosphide single crystal
本标准规定了非掺杂、掺S、掺Te的n型磷化镓单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于高压液封直拉法（HP-LEC）制备的磷化镓单晶材料（以下简称单晶
Gallium phosphide signle crystal
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