功率发光二极管检测

DB35/T 1176-2011 道路照明用功率发光二极管

本标准规定了LED道路、隧道照明用功率发光二极管的要求、试验方法、检验规则和包装贮存运输 要求。 本标准适用于LED 道路、隧道照明用1W 功率发光二极管（仅适应于蓝光LED 芯片激发荧光粉形 成的白光LED）。其他功率的功率发光二极管可参照执行。 室内照明用功率发光二极管可参照执行

Power LEDs for road lighting

SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范

Detailed specifications for silicon substrate blue power light emitting diode chips

SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范

Detailed specifications for silicon substrate white light power light emitting diode chips

SJ/T 11867-2022 硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范

Detailed specifications for silicon substrate blue light low-power light-emitting diode chips

SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for power light-emitting diodes

SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoeletronic devices-Blank detail specification for lower-power light-emitting diodes

GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for power light-emitting diodes

GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for lower power light-emitting diodes

GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for middle power light-emitting diodes

SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices - Detailed specifications for silicon substrate white light power light emitting diodes

SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范

本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品的技术要求、检验规则和检验方法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定

Technical specification for power light-emitting diode chips

GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范

本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片

Technical specification for power light-emitting diode chips

GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范

本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片

Technical specification for middle power light-emitting diode chips

SJ 2658.6-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率的测试方法

Methods of measurement for semiconductor infrared diodes Methods of measurement for output optical power

BS IEC 60747-5-8:2019 半导体器件 光电器件 发光二极管 发光二极管光电效率的测试方法

Semiconductor devices. Optoelectronic devices. Light emitting diodes. Test method of optoelectronic efficiencies of light emitting diodes

DB35/T 1176-2011 道路照明用功率发光二极管

本标准规定了LED道路、隧道照明用功率发光二极管的要求、试验方法、检验规则和包装贮存运输 要求。 本标准适用于LED 道路、隧道照明用1W 功率发光二极管（仅适应于蓝光LED 芯片激发荧光粉形 成的白光LED）。其他功率的功率发光二极管可参照执行。 室内照明用功率发光二极管可参照执行

Power LEDs for road lighting

SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范

Detailed specifications for silicon substrate blue power light emitting diode chips

SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范

Detailed specifications for silicon substrate white light power light emitting diode chips

SJ/T 11867-2022 硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范

Detailed specifications for silicon substrate blue light low-power light-emitting diode chips

SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for power light-emitting diodes

SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoeletronic devices-Blank detail specification for lower-power light-emitting diodes

GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for power light-emitting diodes

GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for lower power light-emitting diodes

GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for middle power light-emitting diodes

SJ/T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范

Semiconductor optoelectronic devices - Detailed specifications for silicon substrate white light power light emitting diodes

SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范

本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品的技术要求、检验规则和检验方法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定

Technical specification for power light-emitting diode chips

GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范

本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片

Technical specification for power light-emitting diode chips

GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范

本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片

Technical specification for middle power light-emitting diode chips

SJ 2658.6-1986 半导体红外发光二极管测试方法.输出光功率的测试方法

Methods of measurement for semiconductor infrared diodes Methods of measurement for output optical power

BS IEC 60747-5-8:2019 半导体器件 光电器件 发光二极管 发光二极管光电效率的测试方法

Semiconductor devices. Optoelectronic devices. Light emitting diodes. Test method of optoelectronic efficiencies of light emitting diodes