SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品的技术要求、检验规则和检验方法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定
Technical specification for power light-emitting diode chips
GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片
Technical specification for power light-emitting diode chips
GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范
本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片
Technical specification for middle power light-emitting diode chips
DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片
本标准规定了半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光半导体发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行
Semiconductor LED chip
SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
本标准规定了半导体发光二极管芯片的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行
Measurement methods for chips of light emitting diodes
DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法
本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试
Light-emitting diode chip point test method
SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for power light-emitting diodes
SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范
Detailed specifications for silicon substrate white light power light emitting diode chips
SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范
Detailed specifications for silicon substrate blue power light emitting diode chips
SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoeletronic devices-Blank detail specification for lower-power light-emitting diodes
GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for power light-emitting diodes
SJ/T 11867-2022 硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范
Detailed specifications for silicon substrate blue light low-power light-emitting diode chips
GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for lower power light-emitting diodes
GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for middle power light-emitting diodes
SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉
本标准规定了半导体发光二级管用荧光粉相关的名词术语及其定义,还规定了半导体发光二极管用铝酸盐和硅酸盐荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求
Phosphors for light emitting diodes
SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品的技术要求、检验规则和检验方法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定
Technical specification for power light-emitting diode chips
GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范
本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片
Technical specification for power light-emitting diode chips
GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范
本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片
Technical specification for middle power light-emitting diode chips
DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片
本标准规定了半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光半导体发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行
Semiconductor LED chip
SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
本标准规定了半导体发光二极管芯片的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行
Measurement methods for chips of light emitting diodes
DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法
本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试
Light-emitting diode chip point test method
SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for power light-emitting diodes
SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范
Detailed specifications for silicon substrate blue power light emitting diode chips
SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范
Detailed specifications for silicon substrate white light power light emitting diode chips
SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoeletronic devices-Blank detail specification for lower-power light-emitting diodes
GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for power light-emitting diodes
SJ/T 11867-2022 硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范
Detailed specifications for silicon substrate blue light low-power light-emitting diode chips
GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for lower power light-emitting diodes
GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for middle power light-emitting diodes
SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用荧光粉
本标准规定了半导体发光二级管用荧光粉相关的名词术语及其定义,还规定了半导体发光二极管用铝酸盐和硅酸盐荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求
Phosphors for light emitting diodes
编辑：北检院编辑部
