服务热线:400-635-0567

功率半导体发光二极管芯片检测

发布时间:2024-05-27 17:49:26 - 更新时间:2024年06月29日 15:22

点击量:0

军工检测 其他检测

SJ/T 11398-2009 技术规范

本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品的技术要求、检验规则和检验方法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定

Technical specification for power light-emitting diode chips

GB/T 36356-2018 技术规范

本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片

Technical specification for power light-emitting diode chips

GB/T 36357-2018 中技术规范

本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片

Technical specification for middle power light-emitting diode chips

DB35/T 1193-2011

本标准规定了半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光半导体发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行

Semiconductor LED chip

SJ/T 11399-2009 测试方法

本标准规定了半导体发光二极管芯片的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行

Measurement methods for chips of light emitting diodes

DB35/T 1370-2013 点测方法

本标准规定了发光二极管芯片(以下简称芯片)的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试

Light-emitting diode chip point test method

SJ/T 11393-2009 电子器件 空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for power light-emitting diodes

SJ/T 11869-2022 硅衬底白详细规范

Detailed specifications for silicon substrate white light power light emitting diode chips

SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝详细规范

Detailed specifications for silicon substrate blue power light emitting diode chips

SJ/T 11400-2009 电子器件 小空白详细规范

Semiconductor optoeletronic devices-Blank detail specification for lower-power light-emitting diodes

GB/T 36358-2018 电子器件 空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for power light-emitting diodes

SJ/T 11867-2022 硅衬底蓝详细规范

Detailed specifications for silicon substrate blue light low-power light-emitting diode chips

GB/T 36359-2018 电子器件 小空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for lower power light-emitting diodes

GB/T 36360-2018 电子器件 中空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for middle power light-emitting diodes

SJ/T 11397-2009 用荧

本标准规定了半导体发光二级管用荧光粉相关的名词术语及其定义,还规定了半导体发光二极管用铝酸盐和硅酸盐荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求

Phosphors for light emitting diodes

SJ/T 11398-2009 技术规范

本规范规定了功率半导体发光二极管芯片产品的技术要求、检验规则和检验方法,芯片的具体规格和性能指标在相关的详细规范中规定

Technical specification for power light-emitting diode chips

GB/T 36356-2018 技术规范

本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片

Technical specification for power light-emitting diode chips

GB/T 36357-2018 中技术规范

本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片

Technical specification for middle power light-emitting diode chips

DB35/T 1193-2011

本标准规定了半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光半导体发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行

Semiconductor LED chip

SJ/T 11399-2009 测试方法

本标准规定了半导体发光二极管芯片的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。 本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行

Measurement methods for chips of light emitting diodes

DB35/T 1370-2013 点测方法

本标准规定了发光二极管芯片(以下简称芯片)的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试

Light-emitting diode chip point test method

SJ/T 11393-2009 电子器件 空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices-Blank detail specification for power light-emitting diodes

SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝详细规范

Detailed specifications for silicon substrate blue power light emitting diode chips

SJ/T 11869-2022 硅衬底白详细规范

Detailed specifications for silicon substrate white light power light emitting diode chips

SJ/T 11400-2009 电子器件 小空白详细规范

Semiconductor optoeletronic devices-Blank detail specification for lower-power light-emitting diodes

GB/T 36358-2018 电子器件 空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for power light-emitting diodes

SJ/T 11867-2022 硅衬底蓝详细规范

Detailed specifications for silicon substrate blue light low-power light-emitting diode chips

GB/T 36359-2018 电子器件 小空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for lower power light-emitting diodes

GB/T 36360-2018 电子器件 中空白详细规范

Semiconductor optoelectronic devices.Blank detail specification for middle power light-emitting diodes

SJ/T 11397-2009 用荧

本标准规定了半导体发光二级管用荧光粉相关的名词术语及其定义,还规定了半导体发光二极管用铝酸盐和硅酸盐荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存要求

Phosphors for light emitting diodes

检测流程
填写并提交定制服务需求表
技术评估和方案讨论
对选定的试验方法进行报价
合同签定与付款
按期交付检测报告和相关数据
想了解更多检测项目
请点击咨询在线工程师
点击咨询
联系我们
服务热线:400-635-0567
地址:北京市丰台区航丰路8号院1号楼1层121
邮编:10000
总机:400-635-0567
联系我们

服务热线:400-635-0567

投诉建议:010-82491398

报告问题解答:010-8646-0567-8

周期、价格等

咨询

技术咨询