少子寿命测量仪检测

DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法

Measurement method for minority carrier lifetime of solar grade polysilicon block

KS D 0265-1989(2019 通过光电导衰减法测量锗中少数载流子寿命

Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method

KS D 0265-1989 光电导衰减测量法.锗的少数载流子寿命的测量方法

이 규격은 게르마늄 단결정 중의 소수 캐리어의 수명을 광도전 감쇠법으로 측정하는 방법에 대

Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method

SY/T 6144-2008 中子寿命测井仪技术条件

本标准规定了中子寿命测井仪（以下简称产品）的组成、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于产品的制造、检验和质量评价

Technical specifications of neutron lifetime logging tool

SY/T 7078-2016 中子寿命测井仪校准方法

本标准规定了中子寿命测井仪的技术要求、校准条件、校准项目、校准方法和复校时间间隔。 本标准适用于新投产、使用中和维修后的中子寿命测井仪的校准

The calibration for neutron lifetime logging tool

SY/T 6144-1995 中子寿命测井仪技术条件

本标准规定子中子寿命测井仪的分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包 装、运输和贮存。 本标准适用于产品的生产制造、检验及质量评价

Technical conditions of neutron lifetime logging tool

KS D 0257-2002(2022 光电导衰减法测量硅单晶中的少数载流子寿命

Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

JIS H 0604:1995 用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命

この規格は，シリコン単結晶中の少数キャリアのパルク再粘合ライフタイム（以下，パルクライフタイム又はτBという。）を直流回路を用いた光導電減衰法によって測定する方法について規定する。なお，測定する単結晶は均一な組成をもち，抵抗率がlΩ·cm以上のものとする

Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

SY 6144-2008 年中子寿命测井仪技术条件

Annual neutron lifetime logging tool technical conditions

JIS H 0603:1978 用光电导衰减法测定锗中少数载流子寿命

この規格は，ゲルマニウム単結晶中の少数キャリアのライフタィム(以下，ライフタイムという。)を光導電減衰法により測定する方法について規定したもので，測定しようとする単结晶は均質な組成をもち，そのライフタイムの値は，5～1000μsの範囲のものとする

Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method

KS D 0257-2002 光电导衰减测量法测定硅单晶体少数载流子寿命的方法

이 규격은 실리콘 단결정 중의 소수 캐리어의 벌크 재결합 수명(이하 벌크 수명 또는 tB라

Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。 本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和淹没的表面，见表1。 本标准可测的最低寿命值为10μs，取决于光源的

Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。 本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量

Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay

ASTM F28-91(1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

1.1 These test methods cover the measurement of minority carrier lifetime appropriate to carrier recombination processes in bulk specimens

Standard Test Methods for Minority-Carrier Lifetime in Bulk Germanium and Silicon by Measurement of Photoconductivity Decay

T/CASAS 026-2023 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法

本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。 本文件适用于少数载流子寿命为20 ns～200 μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价

Test method for minority carrier lifetime in silicon carbide—microwave photoconductive decay

DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法

Measurement method for minority carrier lifetime of solar grade polysilicon block

KS D 0265-1989(2019 通过光电导衰减法测量锗中少数载流子寿命

Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method

KS D 0265-1989 光电导衰减测量法.锗的少数载流子寿命的测量方法

이 규격은 게르마늄 단결정 중의 소수 캐리어의 수명을 광도전 감쇠법으로 측정하는 방법에 대

Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method

SY/T 6144-2008 中子寿命测井仪技术条件

本标准规定了中子寿命测井仪（以下简称产品）的组成、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于产品的制造、检验和质量评价

Technical specifications of neutron lifetime logging tool

SY/T 7078-2016 中子寿命测井仪校准方法

本标准规定了中子寿命测井仪的技术要求、校准条件、校准项目、校准方法和复校时间间隔。 本标准适用于新投产、使用中和维修后的中子寿命测井仪的校准

The calibration for neutron lifetime logging tool

SY/T 6144-1995 中子寿命测井仪技术条件

本标准规定子中子寿命测井仪的分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包 装、运输和贮存。 本标准适用于产品的生产制造、检验及质量评价

Technical conditions of neutron lifetime logging tool

KS D 0257-2002(2022 光电导衰减法测量硅单晶中的少数载流子寿命

Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

JIS H 0604:1995 用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命

この規格は，シリコン単結晶中の少数キャリアのパルク再粘合ライフタイム（以下，パルクライフタイム又はτBという。）を直流回路を用いた光導電減衰法によって測定する方法について規定する。なお，測定する単結晶は均一な組成をもち，抵抗率がlΩ·cm以上のものとする

Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

SY 6144-2008 年中子寿命测井仪技术条件

Annual neutron lifetime logging tool technical conditions

JIS H 0603:1978 用光电导衰减法测定锗中少数载流子寿命

この規格は，ゲルマニウム単結晶中の少数キャリアのライフタィム(以下，ライフタイムという。)を光導電減衰法により測定する方法について規定したもので，測定しようとする単结晶は均質な組成をもち，そのライフタイムの値は，5～1000μsの範囲のものとする

Measurement of minority carrier life time in germanium by photoconductive decay method

KS D 0257-2002 光电导衰减测量法测定硅单晶体少数载流子寿命的方法

이 규격은 실리콘 단결정 중의 소수 캐리어의 벌크 재결합 수명(이하 벌크 수명 또는 tB라

Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。 本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和淹没的表面，见表1。 本标准可测的最低寿命值为10μs，取决于光源的

Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay

GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。 本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量

Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay

ASTM F28-91(1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

1.1 These test methods cover the measurement of minority carrier lifetime appropriate to carrier recombination processes in bulk specimens

Standard Test Methods for Minority-Carrier Lifetime in Bulk Germanium and Silicon by Measurement of Photoconductivity Decay

T/CASAS 026-2023 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法

本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。 本文件适用于少数载流子寿命为20 ns～200 μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价

Test method for minority carrier lifetime in silicon carbide—microwave photoconductive decay