KS D 0259-2012(2017 测量的厚度 厚度不均或弓硅片方法
Methods of measurement of thickness,thickness variation and bow for silicon wafer
JIS H 0611:1994 硅片厚度、厚度变化及弯曲的测量方法
この規格は，シリコン単結晶ウェーハ(以下，ウェーハという。)の厚さ，厚さむら及びポウの測定方法について規定する
Methods of measurement of thickness, thickness variation and bow for silicon wafer
KS D 0259-2012(2022 硅片厚度、厚度变化和弯曲的测量方法
Methods of measurement of thickness,thickness variation and bow for silicon wafer
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。 本标准适用于符合GB／T 12964、GB／T 12965、GB／T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总
Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立点式和扫描式测量方法
Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
DIN V VDE V 0126-18-2-1:2007 太阳能硅片.第2-1部分:硅片几何尺寸的测量.硅片厚度
Solar wafers - Part 2-1: Measuring the geometric dimensions of silicon wafers - Wafer thickness
GB/T 40279-2021 硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法
本文件规定了采用光学反射法测试硅片表面二氧化硅薄膜、多品硅薄膜厚度的方法。 本文件适用于测试硅片表面生长的二氧化硅浅膜和多唱硅薄膜的厚度,也适用于所有光滑的.透明或半透明的、低吸收系数的薄膜厚度的测试,如非晶硅、氮化硅、类金刚石镀膜、.光刻胶等表面薄膜。测试范围为15 nm一105 nm
Test method for thickness of films on silicon wafer surface—Optical reflection method
T/CPIA 0037-2022 光伏晶体硅片规范
本文件规定了光伏电池片用光伏晶体硅片（以下简称硅片）的要求、检验方法、检验规则、包装、运输、贮存、质量证明书。 本文件适用于光伏直拉单晶硅片及铸造多晶硅片,类单晶硅片参照单晶硅片
Specifications for Photovoltaic Crystalline Wafers
GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法n 本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析n
Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications
KS D 0259-2012 硅片的厚度、厚度变化和弯曲度的测定方法
이 표준은 실리콘 단결정 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 한다.)의 두께, 두께 변화 및 휨의 측정
Methods of measurement of thickness,thickness variation and bow for silicon wafer
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法
本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)厚度及总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 26071、GB/T 29055规定尺寸的硅片的厚度及总厚度变化的测量,分立式测量方法适用于接触式及非接触式测量,扫描式测量方法只适用于非接触式测量。在测量仪器准许的情况下,本标准也可用于
Test method for thickness and total thickness variation of silicon wafers for solar cell
GOST 28976-1991 硅晶体光电仪.伏安特性测量结果的温度与辐射度的修正方法
Photovoltaic devices of crystalline silicon. Procedures for temperature and irradiance corrections to measured current voltage characteristics
DIN V VDE V 0126-18-2-2:2007 太阳能硅片.第2-2部分:硅片几何尺寸的测量.厚度的变化
Solar wafers - Part 2-2: Measuring the geometric dimensions of silicon wafers - Variations in thickness
KS D 0259-2012(2017 测量的厚度 厚度不均或弓硅片方法
Methods of measurement of thickness,thickness variation and bow for silicon wafer
JIS H 0611:1994 硅片厚度、厚度变化及弯曲的测量方法
この規格は，シリコン単結晶ウェーハ(以下，ウェーハという。)の厚さ，厚さむら及びポウの測定方法について規定する
Methods of measurement of thickness, thickness variation and bow for silicon wafer
KS D 0259-2012(2022 硅片厚度、厚度变化和弯曲的测量方法
Methods of measurement of thickness,thickness variation and bow for silicon wafer
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。 本标准适用于符合GB／T 12964、GB／T 12965、GB／T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总
Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法
本标准规定了硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立点式和扫描式测量方法
Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
DIN V VDE V 0126-18-2-1:2007 太阳能硅片.第2-1部分:硅片几何尺寸的测量.硅片厚度
Solar wafers - Part 2-1: Measuring the geometric dimensions of silicon wafers - Wafer thickness
GB/T 40279-2021 硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法
本文件规定了采用光学反射法测试硅片表面二氧化硅薄膜、多品硅薄膜厚度的方法。 本文件适用于测试硅片表面生长的二氧化硅浅膜和多唱硅薄膜的厚度,也适用于所有光滑的.透明或半透明的、低吸收系数的薄膜厚度的测试,如非晶硅、氮化硅、类金刚石镀膜、.光刻胶等表面薄膜。测试范围为15 nm一105 nm
Test method for thickness of films on silicon wafer surface—Optical reflection method
T/CPIA 0037-2022 光伏晶体硅片规范
本文件规定了光伏电池片用光伏晶体硅片（以下简称硅片）的要求、检验方法、检验规则、包装、运输、贮存、质量证明书。 本文件适用于光伏直拉单晶硅片及铸造多晶硅片,类单晶硅片参照单晶硅片
Specifications for Photovoltaic Crystalline Wafers
GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法n 本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析n
Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications
KS D 0259-2012 硅片的厚度、厚度变化和弯曲度的测定方法
이 표준은 실리콘 단결정 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 한다.)의 두께, 두께 변화 및 휨의 측정
Methods of measurement of thickness,thickness variation and bow for silicon wafer
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法
本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)厚度及总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 26071、GB/T 29055规定尺寸的硅片的厚度及总厚度变化的测量,分立式测量方法适用于接触式及非接触式测量,扫描式测量方法只适用于非接触式测量。在测量仪器准许的情况下,本标准也可用于
Test method for thickness and total thickness variation of silicon wafers for solar cell
GOST 28976-1991 硅晶体光电仪.伏安特性测量结果的温度与辐射度的修正方法
Photovoltaic devices of crystalline silicon. Procedures for temperature and irradiance corrections to measured current voltage characteristics
DIN V VDE V 0126-18-2-2:2007 太阳能硅片.第2-2部分:硅片几何尺寸的测量.厚度的变化
Solar wafers - Part 2-2: Measuring the geometric dimensions of silicon wafers - Variations in thickness
编辑：北检院编辑部
