DIN V VDE V 0126-18-4-1:2007 太阳能硅片.第4-1部分:硅片电气特性的测量程序.联机测量法测定少数载流子寿命
Solar wafers - Part 4-1: Process for measuring the electrical characteristics of silicon wafers - Minority carrier lifetime, Inline measuring method
DIN V VDE V 0126-18-4-2:2007 太阳能硅片.第4-2部分:硅电气特性的测量程序.实验室测量法测定少数载流子寿命
Solar wafers - Part 4-2: Process for measuring the electrical characteristics of silicon - Minority carrier lifetime, Laboratory measuring method
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。 本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和淹没的表面，见表1。 本标准可测的最低寿命值为10μs，取决于光源的
Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。 本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量
Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
KS D 0257-2002(2022 光电导衰减法测量硅单晶中的少数载流子寿命
Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
ASTM F28-91(1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
1.1 These test methods cover the measurement of minority carrier lifetime appropriate to carrier recombination processes in bulk specimens
Standard Test Methods for Minority-Carrier Lifetime in Bulk Germanium and Silicon by Measurement of Photoconductivity Decay
T/CASAS 026-2023 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。 本文件适用于少数载流子寿命为20 ns～200 μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价
Test method for minority carrier lifetime in silicon carbide—microwave photoconductive decay
DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
Measurement method for minority carrier lifetime of solar grade polysilicon block
JIS H 0604:1995 用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命
この規格は，シリコン単結晶中の少数キャリアのパルク再粘合ライフタイム（以下，パルクライフタイム又はτBという。）を直流回路を用いた光導電減衰法によって測定する方法について規定する。なお，測定する単結晶は均一な組成をもち，抵抗率がlΩ·cm以上のものとする
Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
Determination of Minority Carrier Lifetime in Silicon and Germanium by Photoconductivity Decay Method
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的接触微波反射光电导衰减测试方法
1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05•cm～1Ω•cm
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
Measurement of Carrier Recombination Lifetime of Silicon Wafer and Ingot Non-contact Microwave Reflection Photoconductivity Decay Method
KS D 0257-2002 光电导衰减测量法测定硅单晶体少数载流子寿命的方法
이 규격은 실리콘 단결정 중의 소수 캐리어의 벌크 재결합 수명(이하 벌크 수명 또는 tB라
Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
KS D 0257-2002(2017 载流子寿命单晶硅BY光电导衰减法 - 少数民族MEASURING
Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
DB61/T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则
本标准适用于太阳电池用电池用单晶硅片（以下简称鬼片）的检验
Inspection rules for monocrystalline silicon wafers for solar cells
DIN V VDE V 0126-18-4-1:2007 太阳能硅片.第4-1部分:硅片电气特性的测量程序.联机测量法测定少数载流子寿命
Solar wafers - Part 4-1: Process for measuring the electrical characteristics of silicon wafers - Minority carrier lifetime, Inline measuring method
DIN V VDE V 0126-18-4-2:2007 太阳能硅片.第4-2部分:硅电气特性的测量程序.实验室测量法测定少数载流子寿命
Solar wafers - Part 4-2: Process for measuring the electrical characteristics of silicon - Minority carrier lifetime, Laboratory measuring method
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。 本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和淹没的表面，见表1。 本标准可测的最低寿命值为10μs，取决于光源的
Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。 本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量
Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
KS D 0257-2002(2022 光电导衰减法测量硅单晶中的少数载流子寿命
Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
ASTM F28-91(1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
1.1 These test methods cover the measurement of minority carrier lifetime appropriate to carrier recombination processes in bulk specimens
Standard Test Methods for Minority-Carrier Lifetime in Bulk Germanium and Silicon by Measurement of Photoconductivity Decay
T/CASAS 026-2023 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。 本文件适用于少数载流子寿命为20 ns～200 μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价
Test method for minority carrier lifetime in silicon carbide—microwave photoconductive decay
DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法
Measurement method for minority carrier lifetime of solar grade polysilicon block
JIS H 0604:1995 用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命
この規格は，シリコン単結晶中の少数キャリアのパルク再粘合ライフタイム（以下，パルクライフタイム又はτBという。）を直流回路を用いた光導電減衰法によって測定する方法について規定する。なお，測定する単結晶は均一な組成をもち，抵抗率がlΩ·cm以上のものとする
Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
Determination of Minority Carrier Lifetime in Silicon and Germanium by Photoconductivity Decay Method
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的接触微波反射光电导衰减测试方法
1 本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下，本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。 2 被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，通常在0.05•cm～1Ω•cm
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
Measurement of Carrier Recombination Lifetime of Silicon Wafer and Ingot Non-contact Microwave Reflection Photoconductivity Decay Method
KS D 0257-2002 光电导衰减测量法测定硅单晶体少数载流子寿命的方法
이 규격은 실리콘 단결정 중의 소수 캐리어의 벌크 재결합 수명(이하 벌크 수명 또는 tB라
Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
KS D 0257-2002(2017 载流子寿命单晶硅BY光电导衰减法 - 少数民族MEASURING
Measuring of minority - carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
DB61/T 512-2011 太阳电池用单晶硅片检验规则
本标准适用于太阳电池用电池用单晶硅片（以下简称鬼片）的检验
Inspection rules for monocrystalline silicon wafers for solar cells
编辑：北检院编辑部
